6.揮発性半導体メモリ(<特集>大容量化が進むストレージ技術)

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概要

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• 1972年,半導体1kbitメモリの開発以来,DRAM (Dynamic Random Access Memory), SRAM (Static Random Access Memory)は,3年に4倍のスピードで集積度を向上させてきた.高集積化,高性能化を支えていたのが,デバイスの微細化,セル構造の改良,新規回路技術の開発といった半導体の技術革新である.DRAM, SRAMはメモリの代表であるとともに,長きにわたり,半導体技術革新を推進してきた主要デバイスである.本稿ではDRAM, SRAMのメモリセル技術,プロセスデバイス技術,将来技術について述べる.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2006-11-01

著者

• 仁田山 晃寛

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 仁田山 晃寛

  (株)東芝 セミコンダクター社

• 池田 修二

  Advanced Technology Development Facility

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