朴 成基 | 日立製作所・中央研究所

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概要

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• 山口 伸也

  日立製作所中央研究所

• 朴 成基

  日立製作所中央研究所

• 朴 成基

  日立製作所・中央研究所

• 山口 伸也

  日立製作所・中央研究所

• 波多野 睦子

  日立製作所 中央研究所

• 波多野 睦子

  日立製作所

• 波多野 睦子

  (株)日立製作所 中央研究所

• 杉井 信之

  (株)日立製作所中央研究所

• 田井 光春

  日立製作所

• 田井 光春

  (株)日立製作所中央研究所

• 芝 健夫

  (株)日立製作所中央研究所

• 芝 健夫

  日立製作所中央研究所

• 杉井 信之

  日立製作所・中央研究所

• 田井 光春

  日立製作所中央研究所

• 宮尾 正信

  九州大学・大学院システム情報科学研究院・電子デバイス工学専攻

• 中川 清和

  日立製作所中央研究所

• 宮尾 正信

  日立製作所中央研究所

• 佐道 泰造

  九州大学・大学院システム情報科学研究院・電子デバイス工学専攻

• 佐藤 泰造

  九州大学・大学院システム情報科学研究院・電子デバイス工学専攻

• 波多野 睦子

  日立製作所・中央研究所

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著作論文

• パルス変調CWレーザ結晶化(SELAX)法による高移動度低温ポリSi-TFT(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
• パルス変調CWレーザ結晶化(SELAX)法による高移動度低温ポリSi-TFT(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
• SiO_2基板上の非晶質Si/Ge積層構造におけるGe拡散と結晶化過程
• パルス変調CWレーザ結晶化(SELAX)法による高移動度低温ポリSi-TFT(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
• SiO_2基板上の非晶質Si/Ge積層構造におけるGe拡散と結晶化過程
• SiGe固相成長による原子層レベル急峻ヘテロ界面の形成
• a-Si_Ge_Xの低温固相成長と次世代TFT
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