a-Si_<1-X>Ge_Xの低温固相成長と次世代TFT
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概要
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次世代TFTへの応用を目的として絶縁膜上におけるシリコン薄膜の低温固相成長法を検討した。一般に非晶質シリコン薄膜の結晶成長では、核発生に大きなエネルギーを必要とする事から高温度が必要である。しかし、シリコン薄膜にゲルマニウム原子を導入する事、及び固相成長中にイオン線照射を併用する事等を利用すれば核発生温度が400℃程度迄に低下する事が明らかとなった。今後、ボンド結合の強度を変調し、固相成長成長プロセスを制御する技術は次世代TFTで重要になるものと思われる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-06-29
著者
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山口 伸也
日立製作所中央研究所
-
朴 成基
日立製作所中央研究所
-
宮尾 正信
九州大学・大学院システム情報科学研究院・電子デバイス工学専攻
-
佐藤 泰造
九州大学・大学院システム情報科学研究院・電子デバイス工学専攻
-
朴 成基
日立製作所・中央研究所
-
山口 伸也
日立製作所・中央研究所
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