モノリシック光源に向けたゲルマニウム発光素子の研究(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
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概要
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Si基板上にモノリシックに集積可能な光源の開発を目指して,Ge単結晶成長技術の開発と,Ge発光素子の試作検討を行った.結晶成長技術においては,低温エピタキシャル成長したGe層をポストアニールする事により,結晶性及び発光特性の向上を確認した.また,電極部における自由キャリア吸収による損失を低減するため,素子をSOI(silicon-on-insulator)に形成した横型pnダイオード上に成長したGe導波路に電流を横方向に注入する構造にした.試作した素子は良好な電気特性と電流注入発光特性を示したため,本Ge発光素子はSi基板上のモノリシック集積光源として有望であると考えられる.
- 2012-11-22
著者
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峰 利之
日立製作所 中央研究所
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峰 利之
(株)日立製作所中央研究所
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峰 利之
日立製作所中央研究所
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井戸 立身
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発機構:日立製作所中央研究所
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谷 和樹
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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斎藤 慎一
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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小田 克矢
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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奥村 忠嗣
日立製作所中央研究所
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