河村 哲史 | (株)日立製作所中央研究所
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概要
関連著者
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河村 哲史
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- 多値高速書込み性能10MB/sを実現する4ギガビットAG-ANDフラッシュメモリ(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集3 不揮発性メモリ)
- 多値高速書込み性能10MB/sを実現する4ギガビットAG-ANDフラッシュメモリ
- 4Gb AG-ANDフラッシュメモリにおいて16MB/sを実現する多値高速書込み技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
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- A-20-2 酸化物半導体TFTで構成されたRFIDタグの動作検証(A-20.スマートインフォメディアシステム,一般セッション)