低圧W-CVDを用いたCu配線の自己整合メタルキャップ技術(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
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概要
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Cu配線において、Cu表面に自己整合で金属を被覆する方法に関して、低圧条件下の化学気相成長法(Chemical Vapor Deposition: CVD)によってタングステン(W)を自己整合で被覆する技術(Self Aligned Metal Capping)の検討をおこなった。被覆形態は、Cu-CMP後にCu配線上面を被覆する場合と、ヴィア開孔後、ヴィアの底に覗いているCu表面に被覆する場合である。また、150〜250℃の温度領域で発生する、ヴィア近傍のストレスマイグレーションボイド(Stress-Induced Voiding: SIV)に関して評価をおこない、メタルキャップを適用することで、いずれの被覆形態においても、SIVが著しく改善することを確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-01-26
著者
-
岩崎 富生
(株)日立製作所機械研究所
-
大島 隆文
日立・マイクロデバイス
-
大島 隆文
(株)日立製作所デバイス開発センタプロセス開発部
-
斎藤 達之
(株)日立製作所デバイス開発センタプロセス開発部
-
石川 憲輔
(株)日立製作所デバイス開発センタプロセス開発部
-
宇野 正一
(株)日立製作所デバイス開発センタ
-
齋藤 達之
(株)日立製作所
-
大島 隆文
(株)日立製作所 デバイス開発センタ プロセス開発部
-
石川 憲輔
(株)日立製作所マイクロデバイス事業部
-
齋藤 達之
(株)日立製作所マイクロデバイス事業部
-
岩崎 富生
(株)日立製作所 機械研究所
-
芦原 洋司
(株)日立製作所マイクロデバイス事業部
-
笹島 勝博
(株)日立製作所 デバイス開発センタ プロセス開発部
-
野口 純司
(株)日立製作所 デバイス開発センタ プロセス開発部
-
小西 信博
(株)日立製作所 デバイス開発センタ プロセス開発部
-
大田黒 彰
(株)日立製作所 デバイス開発センタ プロセス開発部
-
久保 真紀
(株)日立製作所 デバイス開発センタ プロセス開発部
-
津金 賢
(株)日立製作所 デバイス開発センタ プロセス開発部
-
岩崎 富生
(株)日立製作所
-
宇野 正一
(株)日立製作所 デバイス開発センタ プロセス開発部
-
野口 純司
(株)日立製作所マイクロデバイス事業部
-
野口 純司
(株)日立製作所デバイス開発センタ
-
野口 純司
(株)日立製作所
-
小西 信博
(株)日立製作所
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