Siの低温エピタキシャル成長におけるSiH_2Cl_2添加効果
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概要
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200℃以下という低温において,SiH_4,H_2のみを用いた光CVD法により,Siの低温エピタキシャル成長に成功した.また,Siの低温エピタキシャル成長におけるSiH_2Cl_2の効果,並びに成長機構について検討を行った.その結果,Hが低温エピタキシャル成長において本質的に重要な役割を担っていることが明かとなった.さらに,SiH_2Cl_2を導入することによりラマンピークの半値幅が減少し,膜中水素濃度が減少するなど,SiH_2Cl_2が低温エピタキシャルSi膜の高品質化に有効であることが明かになった.Clの関与したラジカルの働きとしては,成長表面をエッチングすることによる不鈍物や不安定に結合したSi原子の除去効果,過剰なHを成長表面から引き抜くことによる結晶核の発生の抑制などが考えられる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-12-09
著者
-
山田 明
東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻
-
高橋 清
東京理科大学工学部
-
大島 隆文
日立・マイクロデバイス
-
小長井 誠
東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻
-
大島 隆文
(株)日立製作所 デバイス開発センタ プロセス開発部
-
小長井 誠
東工大
-
高橋 清
東京工業大学工学部電子物理工学科
-
大島 隆文
東京工業大学工学部
-
佐野 正
日立製作所
-
高橋 清
東工大工
-
小長井 誠
東京工業大学
-
高橋 清
東京工業大学・工学部
-
山田 明
東京工業大学
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