光CVD法による低温Siエピタキシャル成長における高濃度ドーピング及び接合の形成
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概要
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基板温度160℃〜210℃においてSiH_4、H_2、SiH_2Cl_2、の混合ガスを用いた光CVD法により高濃度BドープSi薄膜のエピタキシャル成長を行った。as-grownの膜中Bは、ほぼ100%不活性化しており、成長後のアニールによりBは活性化するという現象を見いだした。また、ホール濃度は、アニール時間の2乗に比例して増加した。このBの不活性化は膜中Hに関係すると考えられる。これまで、アニール後のホール濃度として14×l0^<20>cm^<-3>という高い値を得ている。また、基板温度を210℃に上げることで、as-grownでのホール濃度を12×10^<18>cm^<-3>に引き上げることに成功している。さらに、高濃度にドーピングしたn形及びp形の低温Siエピタキシャル膜を用いて、n値1.35のpn接合が得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-12-08
著者
-
山田 明
東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻
-
大島 隆文
日立・マイクロデバイス
-
小長井 誠
東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻
-
大島 隆文
(株)日立製作所 デバイス開発センタ プロセス開発部
-
小長井 誠
東工大
-
阿部 克也
東京工業大学 工学部
-
金井 正和
東京工業大学工学部
-
大島 隆文
東京工業大学工学部
-
小長井 誠
東京工業大学
-
山田 明
東京工業大学
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