Growth of Strain-Relaxed Si_<1-y>C_y Films with Compositionally Graded Buffer Layers by Gas Source Molecular Beam Epitaxy
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概要
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- Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physicsの論文
- 2007-04-15
著者
-
山田 明
東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻
-
山田 晃
東京農工大学生物システム応用科学府
-
ISHIHARA Hanae
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology
-
MURANO Masahiko
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology
-
YAMADA Akira
Quantum Nanoelectronics Research Center, Tokyo Institute of Technology
-
KONAGAI Makoto
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology
-
KONAGAI Makoto
Tokyo Institute of Technology
-
Yamada Akira
Frontier Research Program The Institute Of Physical And Chemical Research (riken)
-
Konagai M
Tokyo Inst. Technol. Tokyo Jpn
-
山田 晃
東京農工大学生物システム応用科学研究科
-
Konagai M
Department Of Physical Electronics Tokyo Institute Of Technology
-
Ishihara Hanae
Department Of Physical Electronics Tokyo Institute Of Technology
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