MBE法によるInSe/GaSe/GaAs(001)ヘテロ構造の作製 : 層状化合物半導体を用いた擬量子細線の作製に向けて
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概要
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- 1995-11-13
著者
-
山田 明
東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻
-
小長井 誠
東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻
-
小長井 誠
東工大
-
小島 信晃
東京工業大学
-
佐藤 啓
東京工業大学
-
BUDIMAN Maman
東京工業大学
-
小長井 誠
東京工業大学
-
山田 明
東京工業大学
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