低温形成Siエピタキシャル膜におけるBの不活性化現象とその抑制
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
光CVD法によって作製した低温形成Siエピタキシャル膜を構造評価した結果、格子定数が膜中水素によって成長方向にのみ引き伸ばされていることが明らかとなった。この格子伸張現象を説明するモデルとしてSi-H-Si複合体を考え、その妥当性を理論計算によって示した。Bドープエピタキシャル膜では、膜中水素によってBがほぼ100%電気的に中性化されており、アニールを施すことで活性化が起こることを見出した。このような膜中水素の問題を解決するために、製膜温度の高温化およびSiH_2Cl_2添加を行った結果、膜中水素取り込みの抑制に成功し、as-grownの正孔濃度7.1x10^<19>cm^<-3>のBドープ膜を得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-12-12
著者
-
山田 明
東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻
-
小長井 誠
東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻
-
小長井 誠
東工大
-
阿部 克也
東京工業大学 工学部
-
綿引 達郎
東京工業大学 工学部
-
小長井 誠
東京工業大学
-
山田 明
東京工業大学
関連論文
- Si系薄膜太陽電池の現状と課題
- Growth of Strain-Relaxed Si_C_y Films with Compositionally Graded Buffer Layers by Gas Source Molecular Beam Epitaxy
- Chemical-Bath-Deposited ZnO and Mg(OH)2 Buffer Layer for Cu(InGa)Se2 Solar Cells
- Substitutional C Incorporation into Si_C_y Alloys Using Novel Carbon Source, 1, 3-Disilabutane
- 薄膜シリコン系太陽電池の展望
- Characterization and Device Application of Tensile-Strained Si_C_y Layers Grown by Gas-Source Molecular Beam Epitaxy
- Characterization and Comparison of Strained Si_C_y Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor Grown by Gas-Source Molecular Beam Epitaxy and Hot Wire Cell Method
- Novel In(OH)_3:Zn^ Buffer Layer for Cu(InGa)Se_2 Based Solar Cells
- Effect of ZnTe and CdZnTe Alloys at the Back Contact of 1-μm-Thick CdTe Thin Film Solar Cells
- Phosphorous Doping of Strain-Induced Si_C_y Epitaxial Films Grown by Low-Temperature Chemical Vapor Deposition
- CdCl_2処理温度条件およびCd/Te組成比の違いによるCdTe薄膜太陽電池の深い準位への影響 (電子情報学部設立記念号)
- Preferred Orientation Control of Cu(In_Ga_x)Se_2 (x≈0.28) Thin Films and Its Influence on Solar Cell Characteristics
- Effect of CdCl_2 Treatment Conditions and Stoichiometry on The Deep Level, Carrier Lifetime and Converstion Efficiency of CdTe Thin Film Solar Cells
- P-Doping into Strain-Induced Si_C_y Epitaxial Films Grown by Low Temperature Chemical Vapor Deposition
- Magnetic Imaging by RT-SHPM using GaAs/AlGaAs and Bi- Micro-Hall Probes
- Epitaxial Growth of γ-In_2Se_3 Films by Molecular Beam Epitaxy
- Epitaxial Growth of Si_C_y Film by Low Temperature Chemical vapor Deposition
- Formation of pn Homojunction in Cu(InGa)Se_2 Thin Film Solar Cells by Zn Doping
- Amorphous-to-Polycrystalline Silicon Transition in Hot Wire Cell Method
- Improvement of the Electrochemical Profiling Technique of Carrier Concentration in Cu(InGa)Se_2 Thin Film Solar Cells
- 薄膜シリコン太陽電池の高効率化技術
- 太陽電池開発の現状と将来展望
- 太陽光発電の現状と将来展望
- 最近の太陽電池技術の動向
- 高性能太陽電池の将来展望
- CT-1-3 バルクならびに薄膜シリコン太陽電池開発の新展開(CT-1. サスティナブル社会のための先端デバイス・材料とプロセス技術の現在と未来,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- シリコン太陽電池の将来ビジョン
- 非晶質と微結晶
- シリコン系次世代太陽電池
- 次世代への贈り物 -クリーンなエネルギー:太陽光を用いた発電システム-
- 太陽電池の夢を追って
- 1-328 コアリッションによる工学教育の相乗的改革(第10報) : 博士交流(2006年度)(口頭発表論文,(4)技術者倫理教育-IV/(15)工学教育システムの個性化・活性化-I)
- 7-334 コアリッションによる工学教育の相乗的改革(第6報) : 博士交流(2005年度)((15)工学教育システムの個性化・活性化-V)
- Characterization of Highly Efficient CdTe Thin Film Solar Cells by the Capacitance-Voltage Profiling Technique
- Improvement in Performances of ZnO : B/i-ZnO/Cu(InGa)Se_2 Solar Cells by Surface Treatments for Cu(InGa)Se_2
- Electrical and Structural Characterizations of Cu(InGa)Se_2 Thin Films Using Electrochemical Capacitance-Voltage Method and Focused-Ion Beam Process
- Cu(InGa)Se_2 Thin-film Solar Cells with High Resistivity ZnO Buffer Layers Deposited by Atomic Layer Deposition
- Prospects of Thickness Reduction of the CdTe Layer in Highly Efficient CdTe Solar Cells Towards 1 μm
- Molecular Beam Epitaxy and Characterization of Layered In_2Se_3 Films Grown on Slightly Misoriented (001)GaAs Substrates
- Heteroepitaxy and Multiquantum Well Structure of Layered Compound GaSe/GaS_xSe_ on (001) GaAs Substrate
- Characterization of Highly Efficient CdTe Thin Film Solar Cells by Low-Temperature Photoluminescence
- Characterizaiton of ZnIn_xSe_y Thin Films as a Buffer Layer for High Efficiency Cu(InGa)Se_2 Thin-Film Solar Cells
- 低温形成Siエピタキシャル膜におけるBの不活性化現象とその抑制
- MBE法によるIn_2Se_3自然超格子の構造制御と光学的特性
- カルコパイライト系新型薄膜太陽電池
- E123 等強度半球入射黒体光源を用いた熱光起電力電池の発電特性(熱物性II)
- 30a-F-4 スパッターa-Si,GDa-Si:H,GDa-Si:H,Fにおける光検波ESR
- Efficiency Improvement of Cu(InGa)Se_2 Thin Film Solar Cells with a High Ga Composition Using Rapid Thermal Annealing
- Characterization of Tensile Strained Si_1_yCy Alloy Grown by Photo- and Plasma Chemical Vapor Deposition at Very Low Temperature
- Improvement in Aspect Ratio of P-GaAs Oxide Fabricated by Atomic Force Microscope (AFM)-Based Nanolithography Using Pulsed Voltage
- Native Defect Control of CdTe Thin Film Solar Cells by Close-Spaced Sublimation
- 光CVD法による低温Siエピタキシャル成長における高濃度ドーピング及び接合の形成
- 光CVD法によるSi薄膜の低温選択エピタキシャル成長
- Siの低温エピタキシャル成長におけるSiH_2Cl_2添加効果
- 6-102 コアリッションによる工学教育の相乗的改革(第2報) : 博士交流((13)体系的教育課程の構成-I)
- 3-5族化合物半導体における高濃度ド-ピング (半導体デバイスにおけるコンタクト材料)
- GaAs のエピタキシャル成長と表面(表面と化学反応)
- 超薄膜とエレクトロニクス (超薄膜)
- 3-5族混晶半導体の物性制御 (半導体-1-) -- (半導体物理の最近のトピックス)
- 太陽光発電に賭ける夢--アモルファスSiと化合物半導体太陽電池はどこまで進んだか
- アモルファス材料の技術革新--歴史と歩み (フュ-チャ-・エレクトロニクス--これからのエレクトロニクス技術を展望する)
- 活発に進むセンサ・エレクトロニクス (フュ-チャ-・エレクトロニクス--これからのエレクトロニクス技術を展望する)
- アモルファス材料の技術革新--歴史と歩み
- センサ・エレクトロニクス-後-
- センサ・エレクトロニクス-前-
- 化合物半導体太陽電池 (太陽電池の開発とその応用)
- 「応用物理」国際化の流れ -編集長を退任するにあたってー
- 光センサ (最近の電子計測特集) -- (センサ)
- 光励起による半導体プロセス技術
- 太陽電池材料--薄膜系 (特集 太陽光発電技術)
- ラマン散乱分光法によるZnSe-ZnTe短周期超格子の構造評価 (超薄膜)
- ポリアセチレン薄膜の電気的性質と太陽電池への応用
- 薄膜結晶の成長技術--1原子層ごとのコントロ-ル
- MBE法によるInSe/GaSe/GaAs(001)ヘテロ構造の作製 : 層状化合物半導体を用いた擬量子細線の作製に向けて
- Ga_2Se_3における空孔の規則配列と光学異方性
- 新概念高性能太陽電池の展開 : 第3世代太陽電池開発の現状(太陽電池開発の将来展望)
- 海外における太陽光発電技術の開発状況(太陽光発電の動向)
- 海外における太陽光発電技術の開発状況
- 高濃度ド-プ-理論と現状-
- 最先端の太陽電池
- 太陽光発電の可能性-2-太陽電池技術開発の現状および将来展望
- 太陽電池の現状と課題
- MOVPE Doping(ICVGE-7(第7回気相成長・エピタキシー国際会議))
- アモルファス太陽電池の高効率・高信頼化
- 太陽光発電の現状と展望 (地球環境と応用物理特集号) -- (地球環境技術の展望)
- MOMBEによるメタリックp型GaAsの成長と評価
- MOMBE,ガスソ-スMBEの開発動向
- 太陽電池 : 太陽エネルギーを電気に変換する電池(新しい電池)(最近の電池)
- 新しいCu(InGa)Se_2製膜技術
- CIGS系太陽電池の基礎
- 近似黒体面を用いた熱光起電力電池の発電特性
- 太陽電池による光・電エネルギー変換 : 性能の現状と理論限界
- 機関誌「応用物理」の行方を探る
- 学会の国際展開 : 「応用物理」80周年を迎えて
- 日本熱物性学会賞論文賞を受賞して
- 2013年度の事業計画と予算立案に関わるトップダウン方針
- タイトル無し
- さまざまな太陽電池の特徴
- 『応用物理』懇談会 : 読まれる誌面づくりに向かって(後編)