超薄膜とエレクトロニクス (超薄膜<特集>)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 電気学会の論文

著者

• 山田 明

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

• 高橋 清

  東京理科大学工学部

• 高橋 清

  東京工業大学工学部電子物理工学科

• 高橋 清

  東工大工

関連論文

• Si系薄膜太陽電池の現状と課題
• Growth of Strain-Relaxed Si_C_y Films with Compositionally Graded Buffer Layers by Gas Source Molecular Beam Epitaxy
• Chemical-Bath-Deposited ZnO and Mg(OH)2 Buffer Layer for Cu(InGa)Se2 Solar Cells
• Substitutional C Incorporation into Si_C_y Alloys Using Novel Carbon Source, 1, 3-Disilabutane
• 薄膜シリコン系太陽電池の展望
• Characterization and Device Application of Tensile-Strained Si_C_y Layers Grown by Gas-Source Molecular Beam Epitaxy
• Characterization and Comparison of Strained Si_C_y Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor Grown by Gas-Source Molecular Beam Epitaxy and Hot Wire Cell Method
• Novel In(OH)_3:Zn^ Buffer Layer for Cu(InGa)Se_2 Based Solar Cells
• Effect of ZnTe and CdZnTe Alloys at the Back Contact of 1-μm-Thick CdTe Thin Film Solar Cells
• Phosphorous Doping of Strain-Induced Si_C_y Epitaxial Films Grown by Low-Temperature Chemical Vapor Deposition
• CdCl_2処理温度条件およびCd/Te組成比の違いによるCdTe薄膜太陽電池の深い準位への影響 (電子情報学部設立記念号)
• Preferred Orientation Control of Cu(In_Ga_x)Se_2 (x≈0.28) Thin Films and Its Influence on Solar Cell Characteristics
• Effect of CdCl_2 Treatment Conditions and Stoichiometry on The Deep Level, Carrier Lifetime and Converstion Efficiency of CdTe Thin Film Solar Cells
• P-Doping into Strain-Induced Si_C_y Epitaxial Films Grown by Low Temperature Chemical Vapor Deposition
• Magnetic Imaging by RT-SHPM using GaAs/AlGaAs and Bi- Micro-Hall Probes
• Epitaxial Growth of γ-In_2Se_3 Films by Molecular Beam Epitaxy
• Epitaxial Growth of Si_C_y Film by Low Temperature Chemical vapor Deposition
• Formation of pn Homojunction in Cu(InGa)Se_2 Thin Film Solar Cells by Zn Doping
• Amorphous-to-Polycrystalline Silicon Transition in Hot Wire Cell Method
• Improvement of the Electrochemical Profiling Technique of Carrier Concentration in Cu(InGa)Se_2 Thin Film Solar Cells
• 1-328 コアリッションによる工学教育の相乗的改革(第10報) : 博士交流(2006年度)(口頭発表論文,(4)技術者倫理教育-IV/(15)工学教育システムの個性化・活性化-I)
• 7-334 コアリッションによる工学教育の相乗的改革(第6報) : 博士交流(2005年度)((15)工学教育システムの個性化・活性化-V)
• Characterization of Highly Efficient CdTe Thin Film Solar Cells by the Capacitance-Voltage Profiling Technique
• Improvement in Performances of ZnO : B/i-ZnO/Cu(InGa)Se_2 Solar Cells by Surface Treatments for Cu(InGa)Se_2
• Electrical and Structural Characterizations of Cu(InGa)Se_2 Thin Films Using Electrochemical Capacitance-Voltage Method and Focused-Ion Beam Process
• Cu(InGa)Se_2 Thin-film Solar Cells with High Resistivity ZnO Buffer Layers Deposited by Atomic Layer Deposition
• Prospects of Thickness Reduction of the CdTe Layer in Highly Efficient CdTe Solar Cells Towards 1 μm
• Molecular Beam Epitaxy and Characterization of Layered In_2Se_3 Films Grown on Slightly Misoriented (001)GaAs Substrates
• Heteroepitaxy and Multiquantum Well Structure of Layered Compound GaSe/GaS_xSe_ on (001) GaAs Substrate
• Characterization of Highly Efficient CdTe Thin Film Solar Cells by Low-Temperature Photoluminescence
• Characterizaiton of ZnIn_xSe_y Thin Films as a Buffer Layer for High Efficiency Cu(InGa)Se_2 Thin-Film Solar Cells
• 低温形成Siエピタキシャル膜におけるBの不活性化現象とその抑制
• MBE法によるIn_2Se_3自然超格子の構造制御と光学的特性
• カルコパイライト系新型薄膜太陽電池
• E123 等強度半球入射黒体光源を用いた熱光起電力電池の発電特性(熱物性II)
• Efficiency Improvement of Cu(InGa)Se_2 Thin Film Solar Cells with a High Ga Composition Using Rapid Thermal Annealing
• Characterization of Tensile Strained Si_1_yCy Alloy Grown by Photo- and Plasma Chemical Vapor Deposition at Very Low Temperature
• Improvement in Aspect Ratio of P-GaAs Oxide Fabricated by Atomic Force Microscope (AFM)-Based Nanolithography Using Pulsed Voltage
• Native Defect Control of CdTe Thin Film Solar Cells by Close-Spaced Sublimation
• 蛍光表示板の光学特性に関する研究(ビーズ状サンプル)
• 光CVD法による低温Siエピタキシャル成長における高濃度ドーピング及び接合の形成
• 光CVD法によるSi薄膜の低温選択エピタキシャル成長
• Siの低温エピタキシャル成長におけるSiH_2Cl_2添加効果
• 6-102 コアリッションによる工学教育の相乗的改革(第2報) : 博士交流((13)体系的教育課程の構成-I)
• 1)Heterostructure type GaAs接合の光電変換特性(第6回 固体画像変換装置研究委員会)
• GaSb蒸着膜の性質 : 半導体
• GaAs のエピタキシャル成長と表面(表面と化学反応)
• 教育・研究における国際協力 (世界に羽ばたく日本の電気技術)
• 超薄膜とエレクトロニクス (超薄膜)
• Stringfellow教授(Plenary Session)(ICVGE-7(第7回気相成長・エピタキシー国際会議))
• 募金委員会より(ICVGE-7(第7回気相成長・エピタキシー国際会議))
• 高性能電子デバイスの研究 : 超高速エレクトロニクス研究棟を訪ねて(精密工学の最前線)
• インテリジェントマテリアルへのアプローチ : II. 機能性材料
• 太陽電池
• ニューメディアと半導体センサ
• 光センサ
• 3-5族混晶半導体の物性制御 (半導体-1-) -- (半導体物理の最近のトピックス)
• 太陽光発電に賭ける夢--アモルファスSiと化合物半導体太陽電池はどこまで進んだか
• アモルファス材料の技術革新--歴史と歩み (フュ-チャ-・エレクトロニクス--これからのエレクトロニクス技術を展望する)
• 活発に進むセンサ・エレクトロニクス (フュ-チャ-・エレクトロニクス--これからのエレクトロニクス技術を展望する)
• アモルファス材料の技術革新--歴史と歩み
• センサ・エレクトロニクス-後-
• センサ・エレクトロニクス-前-
• 化合物半導体太陽電池 (太陽電池の開発とその応用)
• MBE法によるInSe/GaSe/GaAs(001)ヘテロ構造の作製 : 層状化合物半導体を用いた擬量子細線の作製に向けて
• Ga_2Se_3における空孔の規則配列と光学異方性
• 新しいCu(InGa)Se_2製膜技術
• 光励起プロセス研究会
• H.Kressel偏, Characterization of Epitaxial Semiconductor Films, Elsevier, Amsterdam and Oxford, 1976, xii+216ページ, 25×17cm, 11,550円(Methods and Phenomena, their Applications in Science and Technology, Vol.2).
• H. Meiners 編: Physics Demonstration Experiments (2 Vol.), Ronald Press, New York, 1970, Vol. I; 652 ページ, Vol. II; 741 ページ, 28×21cm, 5,700 円(各巻)
• 極短時間応力負荷時の固体強度 II : ABS樹脂の応力白化(2) : 応数力学・応用力学(固体)
• 水中の火花放電エネルギーとガラスの破砕 : 粉体・液体・非晶質
• 単原子層と超薄膜多層構造--電子材料の将来像
• 太陽電池の開発動向
• CIGS系太陽電池の基礎
• 近似黒体面を用いた熱光起電力電池の発電特性
• 半導体ひずみ超格子の最近の発展
• エレクトロニクスから見たインテリジェント材料
• 半導体産業(科学)の現状と将来展望
• エレクトロニクス研究グループの活動と分野の将来展望
• 電子波デバイスと相互作用
• 材料に知能を与える
• 機械的振動実験装置II : ねじり振動実験装置
• 機械的振動実験装置I : 上下振動実験装置
• センサ材料の最近の動向 (最近のセンサ材料とその応用)
• インテリジェント材料の最近の研究動向
• インテリジェント材料の創製は可能か (こんなに賢いインテリジェント材料)
• 太陽光発電の将来展望 (近未来のエネルギ-研究)
• OA機器とセンサ (OA機器におけるセンサ技術小特集)
• 大学と企業間の人的交流 (研究者教育) -- (大学と企業間の協力)
• 材料科学の進歩とセンサデバイス (センサ・テクノロジ-) -- (センサ技術の進歩)
• 極薄膜成長技術
• 新しい分子線エピタキシャル技術--ガスソ-ス分子線エピタキシ-
• 薄膜と電子部品 (膜部品技術小特集)
• ZnSe薄膜EL素子
• アモルファスSiを用いた熱電センサならびに歪センサ (センシングデバイス開発のための新センサ素子)
• センサの最近の動向 (センサ技術の基礎と応用例特集号)
• 半導体分野における表面分析 : 分子線エピタキシャル結晶の評価
• GaSb蒸着膜の電気的特性 : 半導体
• 日本熱物性学会賞論文賞を受賞して

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク