半導体分野における表面分析 : 分子線エピタキシャル結晶の評価
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概要
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MBE成長層の評価についていくつかの表面分析の結果を紹介した.<BR>表面の数monolayer以内の分析を行なう場合には, 測定準備中に吸着する不純物原子は測定結果の解釈に非常に障害となり, 場合によっては誤った解釈さえ与える.表面分析に要求される最も重要な条件は, 十分に吟味された測定雰囲気で行なうことであり, MBE装置に直接取り付けた分析装置による表面分析はこの要求を十分満たしているであろう.<BR>なお最後に各種の表面分析法とその適用領域をまとめて表2に示す.
- 日本真空協会の論文
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