水中の火花放電エネルギーとガラスの破砕 : 粉体・液体・非晶質
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
物理実験教育について
-
蛍光表示板の光学特性に関する研究(ビーズ状サンプル)
-
Siの低温エピタキシャル成長におけるSiH_2Cl_2添加効果
-
ガラスの破壊伝播速度に及ぼす雰囲気の影響(II) : 高速度写真シンポジウム
-
GaAs のエピタキシャル成長と表面(表面と化学反応)
-
教育・研究における国際協力 (世界に羽ばたく日本の電気技術)
-
超薄膜とエレクトロニクス (超薄膜)
-
Stringfellow教授(Plenary Session)(ICVGE-7(第7回気相成長・エピタキシー国際会議))
-
募金委員会より(ICVGE-7(第7回気相成長・エピタキシー国際会議))
-
高性能電子デバイスの研究 : 超高速エレクトロニクス研究棟を訪ねて(精密工学の最前線)
-
インテリジェントマテリアルへのアプローチ : II. 機能性材料
-
太陽電池
-
ニューメディアと半導体センサ
-
光センサ
-
3-5族混晶半導体の物性制御 (半導体-1-) -- (半導体物理の最近のトピックス)
-
太陽光発電に賭ける夢--アモルファスSiと化合物半導体太陽電池はどこまで進んだか
-
アモルファス材料の技術革新--歴史と歩み (フュ-チャ-・エレクトロニクス--これからのエレクトロニクス技術を展望する)
-
活発に進むセンサ・エレクトロニクス (フュ-チャ-・エレクトロニクス--これからのエレクトロニクス技術を展望する)
-
アモルファス材料の技術革新--歴史と歩み
-
センサ・エレクトロニクス-後-
-
光励起プロセス研究会
-
H.Kressel偏, Characterization of Epitaxial Semiconductor Films, Elsevier, Amsterdam and Oxford, 1976, xii+216ページ, 25×17cm, 11,550円(Methods and Phenomena, their Applications in Science and Technology, Vol.2).
-
H. Meiners 編: Physics Demonstration Experiments (2 Vol.), Ronald Press, New York, 1970, Vol. I; 652 ページ, Vol. II; 741 ページ, 28×21cm, 5,700 円(各巻)
-
極短時間応力負荷時の固体強度 II : ABS樹脂の応力白化(2) : 応数力学・応用力学(固体)
-
水中の火花放電エネルギーとガラスの破砕 : 粉体・液体・非晶質
-
単原子層と超薄膜多層構造--電子材料の将来像
-
太陽電池の開発動向
-
19K-18 速い衝撃による割れ目(II)
-
29p-RC-14 変形したGaAs単結晶の内部摩擦
-
半導体ひずみ超格子の最近の発展
-
センサ材料の最近の動向 (最近のセンサ材料とその応用)
-
インテリジェント材料の最近の研究動向
-
インテリジェント材料の創製は可能か (こんなに賢いインテリジェント材料)
-
太陽光発電の将来展望 (近未来のエネルギ-研究)
-
OA機器とセンサ (OA機器におけるセンサ技術小特集)
-
大学と企業間の人的交流 (研究者教育) -- (大学と企業間の協力)
-
材料科学の進歩とセンサデバイス (センサ・テクノロジ-) -- (センサ技術の進歩)
-
極薄膜成長技術
-
新しい分子線エピタキシャル技術--ガスソ-ス分子線エピタキシ-
-
薄膜と電子部品 (膜部品技術小特集)
-
ZnSe薄膜EL素子
-
アモルファスSiを用いた熱電センサならびに歪センサ (センシングデバイス開発のための新センサ素子)
-
センサの最近の動向 (センサ技術の基礎と応用例特集号)
-
情報の入口--高分子センサ-とトランスデュ-サ- (情報化社会と高分子)
-
MBE(分子線エピタキシ-)-4-2-6族半導体のMBE (真空・薄膜・表面) -- (薄膜)
-
センサの現状と将来像
-
化合物半導体太陽電池の性能限界 (自然エネルギ-利用と応用物理特集号) -- (太陽光発電)
-
太陽光発電
-
29a-RC-8 半導体中の転位と電気伝導-マイクロコンタクト法による測定
-
日本物理学会と応用物理学会
-
寺尾 満 : 測定論, 岩波書店, 東京, 1975, 289ページ, 21.5×15.5cm, 2,000円
-
E. インゲルスタム, S. ショーベリー, 木下是雄 : 応用物理ポケットブック, 培風館, 東京, 1974, 110ページ, 21.5×15cm, 950円.
-
木下是雄 : スキーの科学, 中央口論社, 東京, 1973, 233ページ, 17.5×11cm, 320円 (中央親書 339).
-
Si-Fe単結晶における変形双晶の発生及び成長過程の観察 II : 格子欠陥・結晶塑性
-
測定技術(昭和39年度における各専門分野研究活動の展望)
-
11p-Q-7 高速度シネ・マイクログラフによる割れ目の觀察
-
高速度シネ・マイクログラフの試作 : VII. 高速度写真に関するシンポジウム
-
30a-LG-10 塑性変形したCdS単結晶の電気伝導(格子欠陥)
-
2p-M2-5 変形したGaAsの欠陥準位(格子欠陥)
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク