大島 隆文 | (株)日立製作所 デバイス開発センタ プロセス開発部
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概要
関連著者
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大島 隆文
日立・マイクロデバイス
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大島 隆文
(株)日立製作所 デバイス開発センタ プロセス開発部
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大島 隆文
(株)日立製作所デバイス開発センタプロセス開発部
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日野出 憲治
日立製作所 中央研究所
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日野出 憲治
株式会社日立製作所中央研究所
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青木 英雄
(株)日立製作所デバイス開発センタプロセス開発部
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日野出 憲司
日立製作所. 中央研究所
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丸山 裕之
株式会社日立製作所デバイス開発センタ半導体技術開発本部プロセス開発部
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日野出 憲治
(株)日立製作所中央研究所ULSI研究部
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前川 厚志
日立超LSIシステムズ(株)
著作論文
- 銅配線構造における応力誘起ボイドに関する検討(S05-5 ナノ・マイクロ構造体の信頼性,S05 薄膜の強度物性と信頼性)
- Cu配線のストレスマイグレーションによるVia劣化とその対策
- ED2000-135 / SDM2000-117 / ICD-2000-71 低誘電率層間材料を用いたCuデュアルダマシン配線技術
- ED2000-135 / SDM2000-117 / ICD2000-71 低誘電率層間材料を用いたCuデュアルダマシン配線技術
- 有機SOG(k=2.9)を用いた0.18μm CMOS用の0.5μmピッチCuデュアルダマシン配線
- 階層化ワードドライバと位相シフト昇圧回路を用いた512kB 60MHzエンベデッドフラッシュメモリ
- 32ビットRISCマイクロコントローラに内蔵する3.3V90MHzフラッシュモジュール
- 砥粒フリー研磨剤を用いたCu-CMP技術( : 低誘電率層間膜及び配線技術)
- ED2000-135 / SDM2000-117 / ICD2000-71 低誘電率層間材料を用いたCuデュアルダマシン配線技術
- 低圧W-CVDを用いたCu配線の自己整合メタルキャップ技術(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)