古澤 健志 | ルネサステクノロジー

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概要

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• ルネサステクノロジーの論文著者

関連著者

• 古澤 健志

  ルネサステクノロジー

• 日野出 憲治

  日立製作所 中央研究所

• 日野出 憲治

  株式会社日立製作所中央研究所

• 日野出 憲司

  日立製作所. 中央研究所

• 古澤 健志

  (株)日立製作所中央研究所

• 小林 伸好

  (株)日立製作所デバイス開発センタ

• 小林 伸好

  日立製作所. デバイス開発センタ

• 本間 喜夫

  (株)日立製作所 中央研究所

• 大島 隆文

  日立・マイクロデバイス

• 武田 健一

  日立製作所 中央研究所

• 日野出 憲治

  (株)日立製作所中央研究所ULSI研究部

• 大島 隆文

  (株)日立製作所デバイス開発センタプロセス開発部

• 青木 英雄

  (株)日立製作所デバイス開発センタプロセス開発部

• 丸山 裕之

  (株)日立製作所デバイス開発センタ

• 前川 厚志

  日立超LSIシステムズ(株)

• 宇野 正一

  (株)日立製作所デバイス開発センタ

• 福田 琢也

  (株)日立製作所デバイス開発センタ

• 古澤 健志

  日立製作所中央研究所

• 龍崎 大介

  日立製作所中央研究所

• 大島 隆文

  (株)日立製作所 デバイス開発センタ プロセス開発部

• 福田 琢也

  技術研究組合超先端電子技術開発機構(ASET)

• 丸山 裕之

  株式会社日立製作所デバイス開発センタ半導体技術開発本部プロセス開発部

• 武田 健一

  日立製作所中央研究所

• Takeda Ken-ichi

  Central Research Laboratory Hitachi Ltd.

• 宇野 正一

  (株)日立製作所 デバイス開発センタ プロセス開発部

• Takeda Ken'ichi

  Central Research Laboratory Hitachi Ltd.

• Takeda Ken-ichi

  Central Research Laboratory, Hitachi Ltd., Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan

• Takeda Ken-ichi

  Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory, 1-280 Higashikoigakubo Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan

• Takeda Ken-ichi

  Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory, Kokubunji, Tokyo 185-8601, Japan

• Takeda Ken-ichi

  Central Research Laboratory, Hitachi Ltd., Higashikoigakubo, Kokubunji, Tokyo 185-8601, Japan

• 後藤 康

  (株)日立製作所中央研究所

• 石田 猛

  日立製作所 中央研究所

• 山口 日出

  (株)日立製作所デバイス開発センタプロセス開発部

• 近藤 誠一

  日立製作所中央研究所

• 佐久間 憲之

  日立製作所中央研究所

• 町田 俊太郎

  日立製作所中央研究所

• 後藤 康

  日立製作所中央研究所

• 山口 日出

  日立製作所デバイス開発センタ

• 本間 喜夫

  日立製作所中央研究所

• 後藤 康

  (株)日立製作所 中央研究所

• 後藤 康

  日立製作所

• 本間 喜夫

  (株)日立製作所中央研究所

• 町田 俊太郎

  (株)日立製作所 中央研究所

• 石田 猛

  日立製作所・中央研究所

• 中山 貴弘

  日立製作所 情報制御システム事業部

• 田切 克典

  日立製作所 情報制御システム事業部

• 藤田 藩

  日立製作所 情報制御システム事業部

• 島村 泰夫

  日立化成工業株式会社山崎工場開発部

• 森嶋 浩之

  日立化成工業株式会社山崎工場開発部

• 山本 靖浩

  日立化成工業株式会社山崎工場開発部

• 佐藤 任廷

  日立化成工業株式会社山崎工場開発部

• 楠川 喜久雄

  (株)日立製作所中央研究所

• 宮崎 博史

  (株)日立製作所中央研究所

• 宮崎 博史

  (株)日立製作所 半導体グループ

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著作論文

• 電気抵抗比による市販ICのエレクトロマイグレーション信頼度評価(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
• ED2000-135 / SDM2000-117 / ICD-2000-71 低誘電率層間材料を用いたCuデュアルダマシン配線技術
• ED2000-135 / SDM2000-117 / ICD2000-71 低誘電率層間材料を用いたCuデュアルダマシン配線技術
• 低寄生容量銅多層配線のための新しいプロセス技術 : 砥粒フリー銅CMP(ACP)及び新低誘電率材料:メチルシリコンオキシカーバイド(MTES)
• ED2000-47 / SDM2000-47 低寄生容量銅多層配線のための新しいプロセス技術 : 砥粒フリー鋼CMP(ACP)及び新低誘電率材料:メチルシリコンオキシカーバイド(MTES)
• 電界ストレスによるlow-k膜の比誘電率上昇(TDDI)
• ED2000-135 / SDM2000-117 / ICD2000-71 低誘電率層間材料を用いたCuデュアルダマシン配線技術
• リフロー性有機塗布ガラスによる平たん化技術
• 低抵抗・低ε材料による平たん化多層配線の課題

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