Takeda Ken'ichi | Central Research Laboratory Hitachi Ltd.
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概要
関連著者
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武田 健一
日立製作所 中央研究所
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Takeda Ken-ichi
Central Research Laboratory Hitachi Ltd.
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Takeda Ken'ichi
Central Research Laboratory Hitachi Ltd.
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Takeda Ken-ichi
Central Research Laboratory, Hitachi Ltd., Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan
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Takeda Ken-ichi
Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory, 1-280 Higashikoigakubo Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan
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Takeda Ken-ichi
Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory, Kokubunji, Tokyo 185-8601, Japan
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Takeda Ken-ichi
Central Research Laboratory, Hitachi Ltd., Higashikoigakubo, Kokubunji, Tokyo 185-8601, Japan
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武田 健一
日立製作所中央研究所
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日野出 憲治
日立製作所 中央研究所
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日野出 憲治
株式会社日立製作所中央研究所
著作論文
- ポーラスlow-k膜のk値上昇(TDDI)メカニズムと信頼性向上技術
- 電気抵抗比による市販ICのエレクトロマイグレーション信頼度評価(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- ダマシンCu配線における絶縁劣化現象
- 低寄生容量銅多層配線のための新しいプロセス技術 : 砥粒フリー銅CMP(ACP)及び新低誘電率材料:メチルシリコンオキシカーバイド(MTES)
- ED2000-47 / SDM2000-47 低寄生容量銅多層配線のための新しいプロセス技術 : 砥粒フリー鋼CMP(ACP)及び新低誘電率材料:メチルシリコンオキシカーバイド(MTES)
- Cu電界ドリフトによる絶縁破壊
- Cu/low-k配線パターンのラインエッジラフネス評価(配線・実装技術と関連材料技術)
- Dielectric Breakdown and Light Emission in Copper Damascene Structure under Bias-Temperature Stress
- Characterization of Line-edge Roughness in Cu/low-k Interconnect Pattern
- Increase in Electrical Resistivity of Copper and Aluminum Fine Lines