ダマシンCu配線における絶縁劣化現象
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概要
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ダマシンCu配線では, 従来のAl配線では問題視されなかった配線間の時間依存性絶縁破壊(TDDB)現象が信頼度上の重要な課題となる。CuイオンによるTDDB劣化に対しては, TiNなどの導電性バリアとSiNなどの絶縁性バリアを組み合わせることで信頼度を向上することができる。また, Cu CMP界面近傍には高密度の欠陥が存在しており, 線間リークの低減やTDDB寿命向上のためには, この欠陥密度を低減する必要がある。そのためには, 機械的ダメージの少ない, 砥粒を含まないスラリを用いてCMPを行い, さらにpSiN形成前にNH_3プラズマ処理を行うことが非常に有効である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-01-23
著者
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日野出 憲治
日立製作所 中央研究所
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日野出 憲治
株式会社日立製作所中央研究所
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武田 健一
日立製作所 中央研究所
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日野出 憲司
日立製作所. 中央研究所
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武田 健一
日立製作所中央研究所
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Takeda Ken-ichi
Central Research Laboratory Hitachi Ltd.
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Takeda Ken'ichi
Central Research Laboratory Hitachi Ltd.
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Takeda Ken-ichi
Central Research Laboratory, Hitachi Ltd., Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan
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Takeda Ken-ichi
Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory, 1-280 Higashikoigakubo Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan
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Takeda Ken-ichi
Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory, Kokubunji, Tokyo 185-8601, Japan
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Takeda Ken-ichi
Central Research Laboratory, Hitachi Ltd., Higashikoigakubo, Kokubunji, Tokyo 185-8601, Japan
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