武田 健一 | 日立製作所 中央研究所

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概要

• 同名の論文著者
• 日立製作所 中央研究所の論文著者

関連著者

• 武田 健一

  日立製作所 中央研究所

• Takeda Ken-ichi

  Central Research Laboratory Hitachi Ltd.

• Takeda Ken'ichi

  Central Research Laboratory Hitachi Ltd.

• Takeda Ken-ichi

  Central Research Laboratory, Hitachi Ltd., Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan

• Takeda Ken-ichi

  Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory, 1-280 Higashikoigakubo Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan

• Takeda Ken-ichi

  Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory, Kokubunji, Tokyo 185-8601, Japan

• Takeda Ken-ichi

  Central Research Laboratory, Hitachi Ltd., Higashikoigakubo, Kokubunji, Tokyo 185-8601, Japan

• 武田 健一

  日立製作所中央研究所

• 日野出 憲治

  日立製作所 中央研究所

• 日野出 憲治

  株式会社日立製作所中央研究所

• 日野出 憲司

  日立製作所. 中央研究所

• Hinode Kenji

  Central Research Laboratory Hitachi Lid.

• 龍崎 大介

  日立製作所中央研究所

• 河江 達也

  九州大工

• Takeda Kazuyuki

  Department Of Chemistry Graduate School Of Science Kyoto University:(present Address)division Of Adv

• Noguchi Junji

  Device Development Center Hitachi Ltd.

• 河江 連也

  九大工

• 古澤 健志

  ルネサステクノロジー

• 山口 日出

  (株)日立製作所デバイス開発センタプロセス開発部

• Hinode Kenji

  Central Research Laboratory Hitachi Ltd.

• Yamaguchi Hizuru

  Device Development Center Hitachi Ltd.

• 後藤 康

  (株)日立製作所中央研究所

• 近藤 誠一

  日立製作所中央研究所

• 古澤 健志

  日立製作所中央研究所

• 佐久間 憲之

  日立製作所中央研究所

• 町田 俊太郎

  日立製作所中央研究所

• 後藤 康

  日立製作所中央研究所

• 山口 日出

  日立製作所デバイス開発センタ

• 本間 喜夫

  日立製作所中央研究所

• 後藤 康

  (株)日立製作所 中央研究所

• 後藤 康

  日立製作所

• Hinode Kenji

  Istec/srl

• 町田 俊太郎

  (株)日立製作所 中央研究所

• Yamaguchi Atsuko

  Central Research Laboratory Hitachi Ltd.

• 本間 喜夫

  (株)日立製作所 中央研究所

• Kawada Hiroki

  Hitachi High-technologies Corp.

• Yamamoto Jiro

  Central Research Laboratory Hitachi Ltd.

• Ryuzaki Daisuke

  Central Research Laboratory Hitachi Ltd.

• YAMAGUCHI Hizuru

  Renesas Technology Corp.

• NOGUCHI Junji

  Device Development Center, Hitachi Ltd.

• YAMAGUCHI Hizuru

  Device Development Center, Hitachi Ltd.

• NOGUCHI Junji

  Hitachi, Ltd., Micro Device Division

• TAKEDA Ken-ichi

  Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory

• Hanaoka Yuko

  Central Research Laboratory Hitachi Ltd.

• Kubo Maki

  Hitachi Ltd. Micro Device Division

• Ohashi Naofumi

  Semiconductor Leading Edge Technologies Inc.

• Iizumi Takashi

  Hitachi High-technologies Corp.

• Kawada Hiroki

  Hitachi High-Technologies Co., Hitachinaka, Ibaraki 312-8504, Japan

• Yamamoto Jiro

  Central Research Lab., Hitachi Ltd.

• 中山 貴弘

  日立製作所 情報制御システム事業部

• 石田 猛

  日立製作所 中央研究所

• 田切 克典

  日立製作所 情報制御システム事業部

• 藤田 藩

  日立製作所 情報制御システム事業部

• 武田 健一

  日立 中央研究所

• 日野出 憲治

  日立 中央研究所

• 大嶽 一郎

  日立 基礎研究所

• 大橋 直史

  日立 デバイス開発センタ

• 山口 日出

  日立 デバイス開発センタ

• 大橋 直史

  株式会社日立製作所デバイス開発センタ半導体技術開発本部プロセス開発部

• 福田 宏

  株式会社日立製作所中央研究所

• HINODE Kenji

  Superconductivity Research Laboratory, International Superconductivity Technology Center

• 桜井 治彰

  日立化成工業電子材料事業本部

• 阿部 浩一

  日立化成工業電子材料事業本部

• 福田 宏

  日立製作所中央研究所

• 山口 敦子

  日立製作所中央研究所

• Yamaguchi Atsumi

  Ulsi Development Center Mitsubishi Electric Corporation

• 川田 洋揮

  日立ハイテクノロジーズ那珂事業所

• YAMAGUCHI Atsuko

  Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd.

• YAMAMOTO Jiro

  Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd.

• Yamaguchi Atsuko

  Association Of Super-advanced Electronics Technologies:(present Address)hitachi Central Laboratory

• Kodama Daisuke

  Central Research Laboratory Hitachi Ltd.

• Kondo Seiichi

  Central Research Laboratory Hitachi Ltd.

• IIZUMI Takashi

  Hitachi High-Technologies Corporation

• NOGUCHI Junji

  Micro Device Division, Hitachi, Ltd.

• OHASHI Naofumi

  Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc.

• 大橋 直史

  株式会社日立製作所デバイス開発センタ

• Ohashi Naofumi

  Device Development Center Hitachi Ltd.

• SAITO Tatsuyuki

  Hitachi, Ltd., Micro Device Division

• Maruyama Hiroyuki

  Hitachi Ltd. Micro Device Division

• 大橋 直史

  日立 デバイス開セ

• TSUNEDA Ruriko

  Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory

• MAKABE Kazuya

  Renesas Technology Corp.

• HANAOKA Yuko

  Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd.

• 山口 敦子

  日立製作所 中央研究所

• Tonomura Osamu

  Central Research Laboratory Hitachi Ltd.

• Miki Hiroshi

  Central Research Laboratory Hitachi Limited

• 桜井 治彰

  日立化成工業(株)研究開発本部先端材料研究所

• 阿部 浩一

  日立化成工業(株)研究開発本部先端材料研究所

• Yamaguchi Atsuko

  Central Research Laboratory, Hitachi Ltd., Higashikoigakubo, Kokubunji, Tokyo 185-8601, Japan

• Takeda Ken-ichi

  Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd., Kokubunji, Tokyo 185-8601, Japan

• Maruyama Hiroyuki

  Hitachi, Ltd., Micro Device Division, 6-16-3 Shinmachi Ome-shi, Tokyo 198-8512, Japan

• Ryuzaki Daisuke

  Central Research Laboratory, Hitachi Ltd., Higashikoigakubo, Kokubunji, Tokyo 185-8601, Japan

• 石田 猛

  日立製作所・中央研究所

• Yamaguchi Hizuru

  Device Development Center, Hitachi Ltd., Ome-shi, Tokyo 198-8512, Japan

• Miura Noriko

  Renesas Technology Corp., 4-1 Mizuhara, Itami, Hyogo 664-0005, Japan

• Miura Noriko

  Renesas Electronics Corporation, Hitachinaka, Ibaraki 312-8504, Japan

• Iizumi Takashi

  Hitachi High-Technologies Corp., Ichige, Hitachinaka, Ibaraki 312-8504, Japan

• Tonomura Osamu

  Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd., Kokubunji, Tokyo 185-8601, Japan

• Kawada Hiroki

  Hitachi High-Technologies Corp., Ichige, Hitachinaka, Ibaraki 312-8504, Japan

• Saito Tatsuyuki

  Hitachi, Ltd., Micro Device Division, 6-16-3 Shinmachi Ome-shi, Tokyo 198-8512, Japan

• Noguchi Junji

  Device Development Center, Hitachi Ltd., Ome-shi, Tokyo 198-8512, Japan

• Noguchi Junji

  Hitachi, Ltd., Micro Device Division, 6-16-3 Shinmachi Ome-shi, Tokyo 198-8512, Japan

• Ohashi Naofumi

  Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc., 16-1 Onogawa, Tsukuba-shi, Ibaraki 305-8569, Japan

• Tsuneda Ruriko

  Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory, Kokubunji, Tokyo 185-8601, Japan

• Makabe Kazuya

  Renesas Technology Corp., 751 Horiguchi, Hitachinaka, Ibaraki 312-8504, Japan

• Yamamoto Jiro

  Central Research Laboratory, Hitachi Ltd., Higashikoigakubo, Kokubunji, Tokyo 185-8601, Japan

• Kubo Maki

  Hitachi, Ltd., Micro Device Division, 6-16-3 Shinmachi Ome-shi, Tokyo 198-8512, Japan

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著作論文

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• 低寄生容量銅多層配線のための新しいプロセス技術 : 砥粒フリー銅CMP(ACP)及び新低誘電率材料:メチルシリコンオキシカーバイド(MTES)
• ED2000-47 / SDM2000-47 低寄生容量銅多層配線のための新しいプロセス技術 : 砥粒フリー鋼CMP(ACP)及び新低誘電率材料:メチルシリコンオキシカーバイド(MTES)
• Cu電界ドリフトによる絶縁破壊
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• Characterization of Line-Edge Roughness in Cu/Low-$k$ Interconnect Pattern
• Resistivity Increase In Ultrafine-Line Copper Conductor for ULSIs : Semiconductors
• Suppression of Leakage Current of Metal--Insulator--Semiconductor Ta2O5 Capacitors with Al2O3/SiON Buffer Layer
• Light Emission Analysis of Dielectric Breakdown in Stressed Damascene Copper Interconnection
• Dependence of Time-Dependent Dielectric Breakdown Lifetime on the Structure in Cu Metallization
• Influence of Cu-Ion Migration and Fine-Line Effect on Time-Dependent Dielectric Breakdown Lifetime of Cu Interconnects

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