Cu/low-k配線パターンのラインエッジラフネス評価(配線・実装技術と関連材料技術)

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概要

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• Cu/low-k配線パターンのラインエッジラフネス(LER)評価方法を確立するため,レジスト,low-k,Cu/low-kパターンをCD-SEMで観察し,典型的なラフネス形状を抽出するとともに,LER起因の電界集中をシミュレーションにより見積もった.low-k及びCu/low-kパターンにはくさび形のLERが観測されたが,このようなLERはくさびの先端部で,時間依存性絶縁破壊(TDDB)特性劣化につながる電界集中を引き起こすことがシミュレーションにより示された.また電界集中の予測には,low-kパターンのエッチング後及びCuのCMP後に,LERの大きさ(3sigma)とくさび形の開き角を評価することが効果的であると分かった.

• 2010-01-29

著者

• 武田 健一

  日立製作所 中央研究所

• 龍崎 大介

  日立製作所中央研究所

• 山口 敦子

  日立製作所中央研究所

• 河江 達也

  九州大工

• 武田 健一

  日立製作所中央研究所

• 川田 洋揮

  日立ハイテクノロジーズ那珂事業所

• Takeda Kazuyuki

  Department Of Chemistry Graduate School Of Science Kyoto University:(present Address)division Of Adv

• Takeda Ken-ichi

  Central Research Laboratory Hitachi Ltd.

• 山口 敦子

  日立製作所 中央研究所

• Takeda Ken'ichi

  Central Research Laboratory Hitachi Ltd.

• Takeda Ken-ichi

  Central Research Laboratory, Hitachi Ltd., Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan

• Takeda Ken-ichi

  Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory, 1-280 Higashikoigakubo Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan

• Takeda Ken-ichi

  Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory, Kokubunji, Tokyo 185-8601, Japan

• Takeda Ken-ichi

  Central Research Laboratory, Hitachi Ltd., Higashikoigakubo, Kokubunji, Tokyo 185-8601, Japan

• 河江 連也

  九大工

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