Cu/low-k配線パターンのラインエッジラフネス評価(配線・実装技術と関連材料技術)

元データ 2010-01-29

概要

Cu/low-k配線パターンのラインエッジラフネス(LER)評価方法を確立するため,レジスト,low-k,Cu/low-kパターンをCD-SEMで観察し,典型的なラフネス形状を抽出するとともに,LER起因の電界集中をシミュレーションにより見積もった.low-k及びCu/low-kパターンにはくさび形のLERが観測されたが,このようなLERはくさびの先端部で,時間依存性絶縁破壊(TDDB)特性劣化につながる電界集中を引き起こすことがシミュレーションにより示された.また電界集中の予測には,low-kパターンのエッチング後及びCuのCMP後に,LERの大きさ(3sigma)とくさび形の開き角を評価することが効果的であると分かった.

著者

武田 健一 日立製作所 中央研究所
龍崎 大介 日立製作所中央研究所
山口 敦子 日立製作所中央研究所
河江 達也 九州大工
武田 健一 日立製作所中央研究所
川田 洋揮 日立ハイテクノロジーズ那珂事業所
Takeda Kazuyuki Department Of Chemistry Graduate School Of Science Kyoto University:(present Address)division Of Adv
Takeda Ken-ichi Central Research Laboratory Hitachi Ltd.
山口 敦子 日立製作所 中央研究所
Takeda Ken'ichi Central Research Laboratory Hitachi Ltd.
Takeda Ken-ichi Central Research Laboratory, Hitachi Ltd., Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan
Takeda Ken-ichi Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory, 1-280 Higashikoigakubo Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan
Takeda Ken-ichi Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory, Kokubunji, Tokyo 185-8601, Japan
Takeda Ken-ichi Central Research Laboratory, Hitachi Ltd., Higashikoigakubo, Kokubunji, Tokyo 185-8601, Japan
河江 連也 九大工

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