日野出 憲司 | 日立製作所. 中央研究所

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概要

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関連著者

• 日野出 憲司

  日立製作所. 中央研究所

• 日野出 憲治

  日立製作所 中央研究所

• 日野出 憲治

  株式会社日立製作所中央研究所

• 古澤 健志

  ルネサステクノロジー

• 大島 隆文

  日立・マイクロデバイス

• 武田 健一

  日立製作所 中央研究所

• 青木 英雄

  (株)日立製作所デバイス開発センタプロセス開発部

• 大島 隆文

  (株)日立製作所 デバイス開発センタ プロセス開発部

• 武田 健一

  日立製作所中央研究所

• Takeda Ken-ichi

  Central Research Laboratory Hitachi Ltd.

• Takeda Ken'ichi

  Central Research Laboratory Hitachi Ltd.

• Takeda Ken-ichi

  Central Research Laboratory, Hitachi Ltd., Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan

• Takeda Ken-ichi

  Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory, 1-280 Higashikoigakubo Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan

• Takeda Ken-ichi

  Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory, Kokubunji, Tokyo 185-8601, Japan

• Takeda Ken-ichi

  Central Research Laboratory, Hitachi Ltd., Higashikoigakubo, Kokubunji, Tokyo 185-8601, Japan

• 日野出 憲治

  (株)日立製作所中央研究所ULSI研究部

• 大島 隆文

  (株)日立製作所デバイス開発センタプロセス開発部

• 山口 日出

  (株)日立製作所デバイス開発センタプロセス開発部

• 前川 厚志

  日立超LSIシステムズ(株)

• 小林 伸好

  日立製作所. デバイス開発センタ

• 福田 琢也

  技術研究組合超先端電子技術開発機構(ASET)

• 丸山 裕之

  株式会社日立製作所デバイス開発センタ半導体技術開発本部プロセス開発部

• 丸山 裕之

  (株)日立製作所デバイス開発センタ

• 宇野 正一

  (株)日立製作所デバイス開発センタ

• 福田 琢也

  (株)日立製作所デバイス開発センタ

• 小林 伸好

  (株)日立製作所デバイス開発センタ

• 古澤 健志

  (株)日立製作所中央研究所

• 佐久間 憲之

  日立製作所中央研究所

• 本間 喜夫

  日立製作所中央研究所

• 本間 喜夫

  (株)日立製作所 中央研究所

• 宇野 正一

  (株)日立製作所 デバイス開発センタ プロセス開発部

• 後藤 康

  (株)日立製作所中央研究所

• 近藤 誠一

  日立製作所中央研究所

• 古澤 健志

  日立製作所中央研究所

• 龍崎 大介

  日立製作所中央研究所

• 町田 俊太郎

  日立製作所中央研究所

• 後藤 康

  日立製作所中央研究所

• 山口 日出

  日立製作所デバイス開発センタ

• 宮崎 博史

  日立製作所. デバイス開発センタ

• 後藤 康

  (株)日立製作所 中央研究所

• 後藤 康

  日立製作所

• 町田 俊太郎

  (株)日立製作所 中央研究所

• 中山 貴弘

  日立製作所 情報制御システム事業部

• 石田 猛

  日立製作所 中央研究所

• 田切 克典

  日立製作所 情報制御システム事業部

• 藤田 藩

  日立製作所 情報制御システム事業部

• 斎藤 達之

  (株)日立製作所デバイス開発センタプロセス開発部

• 石川 憲輔

  (株)日立製作所デバイス開発センタプロセス開発部

• 福田 琢也

  日立製作所. デバイス開発センタ

• 大島 隆文

  日立製作所. デバイス開発センタ

• 青木 英雄

  日立製作所. デバイス開発センタ

• 丸山 裕之

  日立製作所. デバイス開発センタ

• 小西 信博

  日立製作所. デバイス開発センタ

• 深田 晋一

  日立製作所. デバイス開発センタ

• 湯之上 隆

  日立製作所. デバイス開発センタ

• 堀田 尚二

  日立製作所. デバイス開発センタ

• 野尻 一男

  日立製作所. デバイス開発センタ

• 徳永 尚文

  日立製作所. デバイス開発センタ

• 武田 健一

  日立 中央研究所

• 日野出 憲治

  日立 中央研究所

• 大嶽 一郎

  日立 基礎研究所

• 大橋 直史

  日立 デバイス開発センタ

• 山口 日出

  日立 デバイス開発センタ

• 齋藤 達之

  (株)日立製作所

• 大橋 直史

  株式会社日立製作所デバイス開発センタ半導体技術開発本部プロセス開発部

• 石川 憲輔

  (株)日立製作所マイクロデバイス事業部

• 齋藤 達之

  (株)日立製作所マイクロデバイス事業部

• 深田 晋一

  (株)日立製作所 デバイス開発センタ

• 小西 信博

  (株)日立製作所 デバイス開発センタ プロセス開発部

• 宮崎 博史

  MIRAI-Selete

• 徳永 尚文

  日立 デバイス開セ

• 宮崎 博史

  (株)日立製作所 半導体グループ

• 大橋 直史

  株式会社日立製作所デバイス開発センタ

• 斎藤 達之

  (株)日立製作所 デバイス開発センタ プロセス開発部

• 大橋 直史

  日立 デバイス開セ

• 石田 猛

  日立製作所・中央研究所

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著作論文

• 電気抵抗比による市販ICのエレクトロマイグレーション信頼度評価(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
• LSI用配線材料(銅とアルミニウムの比較) (特集 レアメタルの有効利用とベースメタルの最前線)
• Cu配線のストレスマイグレーションによるVia劣化とその対策
• ダマシンCu配線における絶縁劣化現象
• ED2000-135 / SDM2000-117 / ICD-2000-71 低誘電率層間材料を用いたCuデュアルダマシン配線技術
• ED2000-135 / SDM2000-117 / ICD2000-71 低誘電率層間材料を用いたCuデュアルダマシン配線技術
• 低寄生容量銅多層配線のための新しいプロセス技術 : 砥粒フリー銅CMP(ACP)及び新低誘電率材料:メチルシリコンオキシカーバイド(MTES)
• ED2000-47 / SDM2000-47 低寄生容量銅多層配線のための新しいプロセス技術 : 砥粒フリー鋼CMP(ACP)及び新低誘電率材料:メチルシリコンオキシカーバイド(MTES)
• 有機SOG(k=2.9)を用いた0.18μm CMOS用の0.5μmピッチCuデュアルダマシン配線
• Cu電界ドリフトによる絶縁破壊
• ドライエッチング法を用いた二層Cu配線プロセス
• シリコンLSIにおけるアルミニウム配線材料の現状 (ULSIを支える材料とプロセス技術)
• LSIアルミニウム配線のエレクトロマイグレーション
• ED2000-135 / SDM2000-117 / ICD2000-71 低誘電率層間材料を用いたCuデュアルダマシン配線技術

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