ドライエッチング法を用いた二層Cu配線プロセス
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概要
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銅(Cu)は電気抵抗が低く、耐マイグレーション性にも優れているため、次世代LSI配線材料として注目されている。ただし、従来技術によるCuの微細加工は困難であり、新しい加工技術、即ち高温ドライエッチング法とダマシン法の二者が検討されている。本稿では高温ドライエッチング法を用いた二層Cu配線プロセスを提案し、その試作結果を示す。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-05
著者
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日野出 憲治
日立製作所 中央研究所
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日野出 憲治
株式会社日立製作所中央研究所
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佐久間 憲之
日立製作所中央研究所
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本間 喜夫
日立製作所中央研究所
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宮崎 博史
日立製作所. デバイス開発センタ
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日野出 憲司
日立製作所. 中央研究所
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宮崎 博史
MIRAI-Selete
-
本間 喜夫
(株)日立製作所 中央研究所
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