LSIアルミニウム配線のエレクトロマイグレーション
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 電気抵抗比による市販ICのエレクトロマイグレーション信頼度評価(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- LSI用配線材料(銅とアルミニウムの比較) (特集 レアメタルの有効利用とベースメタルの最前線)
- Cu配線のストレスマイグレーションによるVia劣化とその対策
- ダマシンCu配線における絶縁劣化現象
- ED2000-135 / SDM2000-117 / ICD-2000-71 低誘電率層間材料を用いたCuデュアルダマシン配線技術
- ED2000-135 / SDM2000-117 / ICD2000-71 低誘電率層間材料を用いたCuデュアルダマシン配線技術
- 低寄生容量銅多層配線のための新しいプロセス技術 : 砥粒フリー銅CMP(ACP)及び新低誘電率材料:メチルシリコンオキシカーバイド(MTES)
- ED2000-47 / SDM2000-47 低寄生容量銅多層配線のための新しいプロセス技術 : 砥粒フリー鋼CMP(ACP)及び新低誘電率材料:メチルシリコンオキシカーバイド(MTES)
- 有機SOG(k=2.9)を用いた0.18μm CMOS用の0.5μmピッチCuデュアルダマシン配線
- Cu電界ドリフトによる絶縁破壊
- ドライエッチング法を用いた二層Cu配線プロセス
- シリコンLSIにおけるアルミニウム配線材料の現状 (ULSIを支える材料とプロセス技術)
- LSIアルミニウム配線のエレクトロマイグレーション
- ED2000-135 / SDM2000-117 / ICD2000-71 低誘電率層間材料を用いたCuデュアルダマシン配線技術