福田 琢也 | 技術研究組合超先端電子技術開発機構(ASET)

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概要

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• 技術研究組合超先端電子技術開発機構(ASET)の論文著者

関連著者

• 福田 琢也

  技術研究組合超先端電子技術開発機構(ASET)

• 小林 伸好

  日立製作所. デバイス開発センタ

• 日野出 憲治

  日立製作所 中央研究所

• 日野出 憲治

  株式会社日立製作所中央研究所

• 大島 隆文

  日立・マイクロデバイス

• 青木 英雄

  (株)日立製作所デバイス開発センタプロセス開発部

• 前川 厚志

  日立超LSIシステムズ(株)

• 日野出 憲司

  日立製作所. 中央研究所

• 大島 隆文

  (株)日立製作所 デバイス開発センタ プロセス開発部

• 丸山 裕之

  株式会社日立製作所デバイス開発センタ半導体技術開発本部プロセス開発部

• 古澤 健志

  ルネサステクノロジー

• 日野出 憲治

  (株)日立製作所中央研究所ULSI研究部

• 大島 隆文

  (株)日立製作所デバイス開発センタプロセス開発部

• 丸山 裕之

  (株)日立製作所デバイス開発センタ

• 宇野 正一

  (株)日立製作所デバイス開発センタ

• 福田 琢也

  (株)日立製作所デバイス開発センタ

• 小林 伸好

  (株)日立製作所デバイス開発センタ

• 古澤 健志

  (株)日立製作所中央研究所

• 宇野 正一

  (株)日立製作所 デバイス開発センタ プロセス開発部

• 福田 琢也

  日立製作所. デバイス開発センタ

• 青井 信雄

  技術研究組合超先端電子技術開発機構(ASET)

• 大島 隆文

  日立製作所. デバイス開発センタ

• 青木 英雄

  日立製作所. デバイス開発センタ

• 丸山 裕之

  日立製作所. デバイス開発センタ

• 宮崎 博史

  日立製作所. デバイス開発センタ

• 小西 信博

  日立製作所. デバイス開発センタ

• 深田 晋一

  日立製作所. デバイス開発センタ

• 湯之上 隆

  日立製作所. デバイス開発センタ

• 堀田 尚二

  日立製作所. デバイス開発センタ

• 野尻 一男

  日立製作所. デバイス開発センタ

• 徳永 尚文

  日立製作所. デバイス開発センタ

• 松浦 東

  技術研究組合超先端電子技術開発機構(aset)

• 松永 宏典

  技術研究組合超先端電子技術開発機構(ASET)

• 深田 晋一

  (株)日立製作所 デバイス開発センタ

• 小西 信博

  (株)日立製作所 デバイス開発センタ プロセス開発部

• 佐々木 英二

  日立超lsiエンジニアリング

• 柳沢 寛

  技術研究組合 超先端電子技術開発機構 環境プロセス技術研究室

• 細川 隆

  日立製作所.半導体事業部.半導体技術開発センタ

• 徳永 尚文

  日立 デバイス開セ

• 宮崎 博史

  (株)日立製作所 半導体グループ

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著作論文

• ED2000-135 / SDM2000-117 / ICD-2000-71 低誘電率層間材料を用いたCuデュアルダマシン配線技術
• ED2000-135 / SDM2000-117 / ICD2000-71 低誘電率層間材料を用いたCuデュアルダマシン配線技術
• 有機SOG(k=2.9)を用いた0.18μm CMOS用の0.5μmピッチCuデュアルダマシン配線
• Low-k材用の誘電率の理論的導出 : k
• ED2000-135 / SDM2000-117 / ICD2000-71 低誘電率層間材料を用いたCuデュアルダマシン配線技術
• 低誘電率層間絶縁膜の機械強度の評価、解析( : 低誘電率層間膜及び配線技術)
• フルオロシランを用いたHDP-CVDによる高信頼SiOF膜形成

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