低誘電率層間絶縁膜の機械強度の評価、解析(<特集> : 低誘電率層間膜及び配線技術)

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概要

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近年、低誘電率化の方法として、多孔質化によるものが主流となりつつある。しかしながら、現状の低密度化による低誘電率化においては、膜の機械強度の低下が生じるためLSIプロセスとの不整合が懸念される。そこで、我々は、種々のシロキサン系膜の弾性率の評価結果を基に、多孔質膜の空孔形成と機械強度の関係を解析した。ナノインデンテーションによる弾性率の測定と、有限要素法による多孔質膜の弾性率のシミュレーションにより、空孔形成と機械強度の相関を調べた。その結果、空孔の凝集状態が、多孔質膜の弾性率を決定する要因であることが判った。
社団法人電子情報通信学会の論文
2001-11-09

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