山口 日出 | 日立製作所デバイス開発センタ

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概要

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• 山口 日出

  (株)日立製作所デバイス開発センタプロセス開発部

• 山口 日出

  日立製作所デバイス開発センタ

• 和田 真一郎

  (株)日立製作所 マイクロデバイス事業部

• 丹場 展雄

  日立製作所 デバイス開発センタ

• 後藤 康

  (株)日立製作所中央研究所

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• 日野出 憲治

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• 玉置 洋一

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  (株)日立製作所デバイス開発センタ

• 武田 健一

  日立製作所 中央研究所

• 古澤 健志

  ルネサステクノロジー

• 近藤 誠一

  日立製作所中央研究所

• 古澤 健志

  日立製作所中央研究所

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  日立製作所中央研究所

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• 町田 俊太郎

  日立製作所中央研究所

• 後藤 康

  日立製作所中央研究所

• 本間 喜夫

  日立製作所中央研究所

• 日野出 憲司

  日立製作所. 中央研究所

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  日立製作所デバイス開発センタ

• 丹場 展雄

  筑波大・物理

• 菊池 俊之

  日立製作所 デバイス開発センタ

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  日立製作所 デバイス開発センタ

• 橋本 尚

  日立製作所 デバイス開発センタ

• 吉田 栄一

  日立製作所 デバイス開発センタ

• 和田 慎一郎

  日立製作所 デバイス開発センタ

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  日立製作所 デバイス開発センタ

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• 池田 隆英

  日立製作所 デバイス開発センタ

• 菊池 俊之

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• 後藤 康

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• 後藤 康

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• 橋本 尚

  (株)日立製作所 マイクロデバイス事業部

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  日立製作所デバイス開発センタ

• 武田 健一

  日立製作所中央研究所

• 町田 俊太郎

  (株)日立製作所 中央研究所

• 本間 喜夫

  (株)日立製作所 中央研究所

• Takeda Ken-ichi

  Central Research Laboratory Hitachi Ltd.

• Takeda Ken'ichi

  Central Research Laboratory Hitachi Ltd.

• Takeda Ken-ichi

  Central Research Laboratory, Hitachi Ltd., Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan

• Takeda Ken-ichi

  Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory, 1-280 Higashikoigakubo Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan

• Takeda Ken-ichi

  Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory, Kokubunji, Tokyo 185-8601, Japan

• Takeda Ken-ichi

  Central Research Laboratory, Hitachi Ltd., Higashikoigakubo, Kokubunji, Tokyo 185-8601, Japan

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著作論文

• 低寄生容量銅多層配線のための新しいプロセス技術 : 砥粒フリー銅CMP(ACP)及び新低誘電率材料:メチルシリコンオキシカーバイド(MTES)
• ED2000-47 / SDM2000-47 低寄生容量銅多層配線のための新しいプロセス技術 : 砥粒フリー鋼CMP(ACP)及び新低誘電率材料:メチルシリコンオキシカーバイド(MTES)
• SOI基板を用いたメインフレーム用0.3μm ECL-CMOSプロセス技術
• SOI基板を用いたメインフレーム用0.3μm ECL-CMOSプロセス技術

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