丹場 展雄 | 日立製作所 デバイス開発センタ
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概要
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丹場 展雄
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吉田 浩
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日立製作所デバイス開発センタ
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著作論文
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- SOI基板を用いたメインフレーム用0.3μm ECL-CMOSプロセス技術
- アクセス時間1.5nsの60ps 11k論理ゲート付256kb BiCMOS SRAM
- SOI基板を用いたメインフレーム用0.3μm ECL-CMOSプロセス技術
- 30a-B-3 N_2分子の光電子スペクトル
- 30p-N-7 水素分子の光電子角度分布II
- 30p-N-6 水素分子の光電子角度分布I
- 5a-NU-9 水素分子の光電子スペクトル