中山 道明 | 日立製作所 デバイス開発センタ
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概要
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中山 道明
日立製作所 デバイス開発センタ
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中山 道明
日立製作所デバイス開発センタ
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日立超lsiシステムズ
著作論文
- 35.8GB/sの内部メモリバンド幅をもつ16MBキャッシュDRAM LSI
- A 750MHz 144Mb Cache DRAM LSI with Speed Scalable Design and Programmable at-speed Function-Array BIST(VSLI一般(ISSCC'03関連特集))
- タイミング自動調整回路を用い構成展開可能な超高速SRAMマクロ
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