南部 博昭 | 日立製作所
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概要
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南部 博昭
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渡辺 邦彦
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日立製作所 デバイス開発センタ
著作論文
- アクセス時間1.5nsの60ps 11k論理ゲート付256kb BiCMOS SRAM
- タイミング自動調整回路を用い構成展開可能な超高速SRAMマクロ
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- 超高速SRAM回路技術 : 「A 1.8ns Access, 550MHz 4.5Mb CMOS SRAM」「Synonym Hit RAM: A 500MHz 1.5ns CMOS SRAM Macro with 576b Parallel Comparison and Parity Check Functions」
- 超高速SRAM回路技術 : 「A 1.8ns Access, 550MHz 4.5Mb CMOS SRAM」「Synonym Hit RAM: A 500MHz 1.5ns CMOS SRAM Macro with 576b Parallel Comparison and Parity Check Functions」
- 30ps-120k ゲート内蔵 0.9ns-1.15Mb ECL-CMOS SRAM
- 世界最高速のアクセス時間を実現する新型SRAMの試作に成功