宇佐美 正己 | 日立製作所デバイス開発センタ

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概要

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関連著者

• 山口 邦彦

  日立超lsiシステムズ

• 日下田 恵一

  日立製作所デバイス開発センタ

• 南部 博昭

  日立製作所中央研究所

• 宇佐美 正己

  日立製作所デバイス開発センタ

• 南部 博昭

  日立製作所

• 本間 紀之

  法政大学

• 山縣 良

  日立製作所エンタープライズサーバ事業部

• 藤村 康弘

  日立製作所デバイス開発センタ

• 楠 武志

  日立デバイスエンジニアリング

• 金谷 一男

  日立製作所中央研究所

• 山崎 枢

  日立製作所中央研究所

• 鈴木 武史

  日立製作所デバイス開発センタ

• 大林 正幸

  日立製作所デバイス開発センタ

• 山口 邦彦

  日立製作所デバイス開発センタ

• 大林 正幸

  日立製作所 デバイス開発センタ

• 宇佐美 正巳

  日立製作所 デバイス開発センタ

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著作論文

• 超高速SRAM回路技術 : 「A 1.8ns Access, 550MHz 4.5Mb CMOS SRAM」「Synonym Hit RAM: A 500MHz 1.5ns CMOS SRAM Macro with 576b Parallel Comparison and Parity Check Functions」
• 超高速SRAM回路技術 : 「A 1.8ns Access, 550MHz 4.5Mb CMOS SRAM」「Synonym Hit RAM: A 500MHz 1.5ns CMOS SRAM Macro with 576b Parallel Comparison and Parity Check Functions」
• 30ps-120k ゲート内蔵 0.9ns-1.15Mb ECL-CMOS SRAM

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