Increase in Electrical Resistivity of Copper and Aluminum Fine Lines

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• Japan Institute of Metalsの論文
• 2002-07-01

著者

• 武田 健一

  日立製作所 中央研究所

• Hinode Kenji

  Central Research Laboratory Hitachi Ltd.

• Hinode Kenji

  Central Research Laboratory Hitachi Lid.

• Kodama Daisuke

  Central Research Laboratory Hitachi Ltd.

• Takeda Ken-ichi

  Central Research Laboratory Hitachi Ltd.

• HANAOKA Yuko

  Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd.

• Hanaoka Yuko

  Central Research Laboratory Hitachi Ltd.

• Takeda Ken'ichi

  Central Research Laboratory Hitachi Ltd.

• Takeda Ken-ichi

  Central Research Laboratory, Hitachi Ltd., Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan

• Takeda Ken-ichi

  Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory, 1-280 Higashikoigakubo Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan

• Takeda Ken-ichi

  Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory, Kokubunji, Tokyo 185-8601, Japan

• Takeda Ken-ichi

  Central Research Laboratory, Hitachi Ltd., Higashikoigakubo, Kokubunji, Tokyo 185-8601, Japan

関連論文

• ポーラスlow-k膜のk値上昇(TDDI)メカニズムと信頼性向上技術
• 21pRB-3 S=1/2擬一次元量子スピン系DMACuCl_3の単結晶試料における磁場中物性(21pRB 量子スピン系(1次元),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 27aSB-1 S=1/2擬一次元量子スピン系DMACuCl_3の磁場中物性(27aSB 量子スピン系(一次元系),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 21pPSB-9 S=1/2擬一次元量子スピン系DMACuCl_3の磁場中物性についての研究(領域3ポスターセッション,量子スピン系(一次元系),量子スピン系(二次元系),量子スピン系(クラスター系,および一般),フラストレーション系,磁気共鳴一般,実験技術開発,磁性一般,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 18aPS-107 2d-HAF蟻酸Mn2Ureaの磁場によるスピン対称性のクロスオーバーとBKT転移(18aPS 領域3ポスターセッション(磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 30aSB-6 純有機磁性体F_5PNNの磁場誘起秩序相(30aSB 量子スピン系(一次元系),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 19pXA-14 有機磁性体トリラジカルの磁気相図(分子性固体,領域7(分子性固体・有機導体))
• 19pPSA-93 希土類元素の静水圧下電気抵抗測定(領域8ポスターセッション(f電子系統II),領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
• 19pPSA-72 Pr_xLa_Pb_3(x=1,0.99,0.98)の磁場中物性(領域8ポスターセッション(f電子系統II),領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
• 22pXH-8 希土類金属強磁性体(Gd, Tb, Dy, Ho)の磁気秩序温度の圧力効果(化合物磁性・f電子系磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 21pPSB-14 2d-HAF蟻酸Mn2Ureaの磁場によるスピン対称性のクロスオーバーとBKT転移(領域3ポスターセッション,量子スピン系(一次元系),量子スピン系(二次元系),量子スピン系(クラスター系,および一般),フラストレーション系,磁気共鳴一般,実験技術開発,磁性一般,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 20pYB-10 S=1/2反強磁性ボンド交代鎖F_5PNNの磁場中誘電率II(量子スピン系(一次元),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 20pYB-8 擬一次元純有機磁性体F_5PNNの構造相転移(量子スピン系(一次元),領域3(磁性,磁気共鳴))
• 20aXH-6 有機ボンド交代鎖F_5PNNの磁場誘起秩序(領域3,領域11合同シンポジウム,主題 : 低次元量子スピン系の新しい非整合秩序 : スピンのスーパーソリッド?,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 20aXH-6 有機ポンド交代鎖の磁場誘起秩序(領域3,領域11合同シンポジウム 主題 : 低次元量子スピン系の新しい非整合秩序 : スピンのスーパーソリッド?,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 電気抵抗比による市販ICのエレクトロマイグレーション信頼度評価(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
• ダマシンCu配線における絶縁劣化現象
• 低寄生容量銅多層配線のための新しいプロセス技術 : 砥粒フリー銅CMP(ACP)及び新低誘電率材料:メチルシリコンオキシカーバイド(MTES)
• ED2000-47 / SDM2000-47 低寄生容量銅多層配線のための新しいプロセス技術 : 砥粒フリー鋼CMP(ACP)及び新低誘電率材料:メチルシリコンオキシカーバイド(MTES)
• Cu電界ドリフトによる絶縁破壊
• Cu/low-k配線パターンのラインエッジラフネス評価(配線・実装技術と関連材料技術)
• Variable-Energy Positron Studies of Vacancy-Type Defects in TiN Films on Si
• Characteristics of cell division and cell elongation that confer deep-seeding tolerance in wheat cultivar Hong Mang Mai
• Dependence of Time-Dependent Dielectric Breakdown Lifetime on NH_3-Plasma Treatment in Cu Interconnects
• Light Emission Analysis of Dielectric Breakdown in Stressed Damascene Copper Interconnection
• Dielectric Breakdown and Light Emission in Copper Damascene Structure under Bias-Temperature Stress
• Characterization of Line-edge Roughness in Cu/low-k Interconnect Pattern
• Increase in Electrical Resistivity of Copper and Aluminum Fine Lines
• Time-Dependent Dielectric Breakdown of Interlevel Dielectrics for Copper Metallization
• Metal Schottky Source/Drain Technology for Ultrathin Silicon-on-Thin-Box Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors
• Characterization of Line-Edge Roughness in Cu/Low-$k$ Interconnect Pattern
• Resistivity Increase In Ultrafine-Line Copper Conductor for ULSIs : Semiconductors
• Fast Electromigration-lifetime Prediction of Al-based Layered Metallization using the Similarity of Resistance Increase Curve
• Suppression of Leakage Current of Metal--Insulator--Semiconductor Ta2O5 Capacitors with Al2O3/SiON Buffer Layer
• Light Emission Analysis of Dielectric Breakdown in Stressed Damascene Copper Interconnection
• Dependence of Time-Dependent Dielectric Breakdown Lifetime on the Structure in Cu Metallization
• Influence of Cu-Ion Migration and Fine-Line Effect on Time-Dependent Dielectric Breakdown Lifetime of Cu Interconnects
• 3次元システムLSI開発のためのチップレベルTSVプロセス(次世代電子機器を支える三次元積層技術と先端実装の設計・評価技術論文)
• Fast Electromigration-lifetime Prediction of Al-based Layered Metallization using the Similarity of Resistance Increase Curve

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク