ポーラスlow-k膜のk値上昇(TDDI)メカニズムと信頼性向上技術
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
65nm世代以降のLSI配線向け低誘電率(low-k)膜であるポーラス有機シリカ膜のk値上昇(time-dependent dielectric-constant increase : TDDI)メカニズムを初めて解明した。ポーラス有機シリカ膜が電界ストレスにさらされると、加速した電子のエネルギーによって経時的なメチル基の酸化がおこる。酸化したメチル基は水酸基に置換され、これがk値上昇を原因となっている。これらの知見をもとにメチル基量を最適化した新ポーラス有機シリカ膜(k=2.3)を開発したところ、k値の寿命が10^3年に達する大幅な高信頼化を実現した。さらに新ポーラス有機シリカ膜を用いた微細Cu/low-k配線テスト構造において、配線間容量の高い安定性を確認した。
- 2005-01-24
著者
-
武田 健一
日立製作所 中央研究所
-
龍崎 大介
日立製作所中央研究所
-
福田 宏
株式会社日立製作所中央研究所
-
桜井 治彰
日立化成工業電子材料事業本部
-
阿部 浩一
日立化成工業電子材料事業本部
-
福田 宏
日立製作所中央研究所
-
武田 健一
日立製作所中央研究所
-
Takeda Ken-ichi
Central Research Laboratory Hitachi Ltd.
-
Takeda Ken'ichi
Central Research Laboratory Hitachi Ltd.
-
桜井 治彰
日立化成工業(株)研究開発本部先端材料研究所
-
阿部 浩一
日立化成工業(株)研究開発本部先端材料研究所
-
Takeda Ken-ichi
Central Research Laboratory, Hitachi Ltd., Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan
-
Takeda Ken-ichi
Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory, 1-280 Higashikoigakubo Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan
-
Takeda Ken-ichi
Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory, Kokubunji, Tokyo 185-8601, Japan
-
Takeda Ken-ichi
Central Research Laboratory, Hitachi Ltd., Higashikoigakubo, Kokubunji, Tokyo 185-8601, Japan
関連論文
- ポーラスlow-k膜のk値上昇(TDDI)メカニズムと信頼性向上技術
- 21pRB-3 S=1/2擬一次元量子スピン系DMACuCl_3の単結晶試料における磁場中物性(21pRB 量子スピン系(1次元),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 27aSB-1 S=1/2擬一次元量子スピン系DMACuCl_3の磁場中物性(27aSB 量子スピン系(一次元系),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 21pPSB-9 S=1/2擬一次元量子スピン系DMACuCl_3の磁場中物性についての研究(領域3ポスターセッション,量子スピン系(一次元系),量子スピン系(二次元系),量子スピン系(クラスター系,および一般),フラストレーション系,磁気共鳴一般,実験技術開発,磁性一般,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 18aPS-107 2d-HAF蟻酸Mn2Ureaの磁場によるスピン対称性のクロスオーバーとBKT転移(18aPS 領域3ポスターセッション(磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 30aSB-6 純有機磁性体F_5PNNの磁場誘起秩序相(30aSB 量子スピン系(一次元系),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 19pXA-14 有機磁性体トリラジカルの磁気相図(分子性固体,領域7(分子性固体・有機導体))
- 19pPSA-93 希土類元素の静水圧下電気抵抗測定(領域8ポスターセッション(f電子系統II),領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
- 19pPSA-72 Pr_xLa_Pb_3(x=1,0.99,0.98)の磁場中物性(領域8ポスターセッション(f電子系統II),領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
- 22pXH-8 希土類金属強磁性体(Gd, Tb, Dy, Ho)の磁気秩序温度の圧力効果(化合物磁性・f電子系磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 21pPSB-14 2d-HAF蟻酸Mn2Ureaの磁場によるスピン対称性のクロスオーバーとBKT転移(領域3ポスターセッション,量子スピン系(一次元系),量子スピン系(二次元系),量子スピン系(クラスター系,および一般),フラストレーション系,磁気共鳴一般,実験技術開発,磁性一般,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 20pYB-10 S=1/2反強磁性ボンド交代鎖F_5PNNの磁場中誘電率II(量子スピン系(一次元),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 20pYB-8 擬一次元純有機磁性体F_5PNNの構造相転移(量子スピン系(一次元),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 20aXH-6 有機ボンド交代鎖F_5PNNの磁場誘起秩序(領域3,領域11合同シンポジウム,主題 : 低次元量子スピン系の新しい非整合秩序 : スピンのスーパーソリッド?,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 20aXH-6 有機ポンド交代鎖の磁場誘起秩序(領域3,領域11合同シンポジウム 主題 : 低次元量子スピン系の新しい非整合秩序 : スピンのスーパーソリッド?,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 電気抵抗比による市販ICのエレクトロマイグレーション信頼度評価(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- ダマシンCu配線における絶縁劣化現象
- 低寄生容量銅多層配線のための新しいプロセス技術 : 砥粒フリー銅CMP(ACP)及び新低誘電率材料:メチルシリコンオキシカーバイド(MTES)
- ED2000-47 / SDM2000-47 低寄生容量銅多層配線のための新しいプロセス技術 : 砥粒フリー鋼CMP(ACP)及び新低誘電率材料:メチルシリコンオキシカーバイド(MTES)
- Cu電界ドリフトによる絶縁破壊
- 超解像露光技術の現状と課題
- 0.1μm時代の光リソグラフィ技術 : 課題と可能性
- 電界ストレスによるlow-k膜の比誘電率上昇(TDDI)
- 低分子EUVレジストの開発
- 21世紀におけるリソグラフィー技術
- Cu/low-k配線パターンのラインエッジラフネス評価(配線・実装技術と関連材料技術)
- Characteristics of cell division and cell elongation that confer deep-seeding tolerance in wheat cultivar Hong Mang Mai
- 低誘電率層間絶縁膜材料の最新動向
- 半導体用低誘電率層間絶縁膜材料 : 高強度シリカ系絶縁膜材料の開発
- Dependence of Time-Dependent Dielectric Breakdown Lifetime on NH_3-Plasma Treatment in Cu Interconnects
- Light Emission Analysis of Dielectric Breakdown in Stressed Damascene Copper Interconnection
- Dielectric Breakdown and Light Emission in Copper Damascene Structure under Bias-Temperature Stress
- Characterization of Line-edge Roughness in Cu/low-k Interconnect Pattern
- Increase in Electrical Resistivity of Copper and Aluminum Fine Lines
- Metal Schottky Source/Drain Technology for Ultrathin Silicon-on-Thin-Box Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors
- Characterization of Line-Edge Roughness in Cu/Low-$k$ Interconnect Pattern
- Resistivity Increase In Ultrafine-Line Copper Conductor for ULSIs : Semiconductors
- Suppression of Leakage Current of Metal--Insulator--Semiconductor Ta2O5 Capacitors with Al2O3/SiON Buffer Layer
- Light Emission Analysis of Dielectric Breakdown in Stressed Damascene Copper Interconnection
- Dependence of Time-Dependent Dielectric Breakdown Lifetime on the Structure in Cu Metallization
- Influence of Cu-Ion Migration and Fine-Line Effect on Time-Dependent Dielectric Breakdown Lifetime of Cu Interconnects
- 3次元システムLSI開発のためのチップレベルTSVプロセス(次世代電子機器を支える三次元積層技術と先端実装の設計・評価技術論文)