低分子EUVレジストの開発
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2006-03-03
著者
-
福田 宏
株式会社日立製作所中央研究所
-
塩野 大寿
東京応化工業株式会社
-
平山 拓
東京応化工業株式会社
-
羽田 英夫
東京応化工業株式会社
-
小野寺 純一
東京応化工業株式会社
-
新井 唯
株式会社日立製作所中央研究所
-
山口 敦子
株式会社日立製作所中央研究所
-
小島 恭子
株式会社日立製作所中央研究所
-
白石 洋
株式会社日立製作所中央研究所
-
老泉 博昭
ASET
-
西山 岩男
ASET
-
山口 敦子
日立製作所中央研究所
関連論文
- ポーラスlow-k膜のk値上昇(TDDI)メカニズムと信頼性向上技術
- 超解像露光技術の現状と課題
- 0.1μm時代の光リソグラフィ技術 : 課題と可能性
- 低分子EUVレジストの開発
- 21世紀におけるリソグラフィー技術
- Canon のArF液浸リソグラフィの開発状況
- F2露光装置開発の現状
- 2部グラフ描画問題に対する近似アルゴリズム
- 2部グラフ描画に対する近似アルゴリズム
- Cu/low-k配線パターンのラインエッジラフネス評価(配線・実装技術と関連材料技術)
- 電子線単層ポジ型レジストプロセスの開発
- 電子線ポジ型化学増幅系レジストPSRの現像特性評価とプロセス応用
- 65nmプロセスノードに対応するCD-SEM技術 (特集1 ナノメートル時代の最先端半導体デバイスの量産を支えるベストソリューション)
- 高加速電圧マスク描画装置(HL-800M)を用いた0.18μmレチクル作製用化学増幅系ポジ型レジストの開発
- 高分子レジストを用いた極微細加工とその評価
- ナノメ-タリソグラフィにおけるレジストの高分子マトリックス効果
- ナノメーターリソグラフィーにおけるレジスト高分子のサイズ効果