高加速電圧マスク描画装置(HL-800M)を用いた0.18μmレチクル作製用化学増幅系ポジ型レジストの開発
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概要
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0.18μmレチクル作製用ノボラック樹脂ベース化学増幅系レジストを新規に開発した。新レジストは、ノボラック樹脂の分子量分布を制御しており、マスク基板(表面酸化クロム)上でのレジスト裾引きを少なくしている。また、6.0μC/cm^2(@50-kV)の高感度で0.8-μmL&Sをマスク基板上で解像する性能を持っている。このレジストはドライエッチング耐性に優れ、Cr-ドライエッチングに対して選択比は3であった。また、乾燥空気条件(湿度20%以下)においてケミカルフィルタ使用により、レジスト塗布膜は、1週間安定であることが確認された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-11-20
著者
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新井 唯
(株)日立製作所中央研究所
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佐藤 秀寿
(株)日立製作所 中央研究所
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白石 洋
株式会社日立製作所中央研究所
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曽我 隆
(株)日立製作所半導体事業本部
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逆水 登志夫
(株)日立製作所中央研究所
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白石 洋
(株)日立製作所中央研究所
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加藤 幸治
日立化成工業(株)山崎工場
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白石 洋
(株)日立製作所
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佐藤 秀寿
(株)日立製作所中央研究所
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