小西 信博 | (株)日立製作所
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概要
関連著者
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小西 信博
(株)日立製作所 デバイス開発センタ プロセス開発部
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小西 信博
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(株)日立製作所
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(株)日立製作所 デバイス開発センタ プロセス開発部
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(株)日立製作所
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土肥 俊郎
九大 大学院工学研究院
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(株)日立製作所デバイス開発センタプロセス開発部
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(株)日立製作所デバイス開発センタプロセス開発部
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(株)日立製作所
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(株)日立製作所 デバイス開発センタ プロセス開発部
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石川 憲輔
(株)日立製作所マイクロデバイス事業部
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齋藤 達之
(株)日立製作所マイクロデバイス事業部
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(株)日立製作所 機械研究所
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芦原 洋司
(株)日立製作所マイクロデバイス事業部
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笹島 勝博
(株)日立製作所 デバイス開発センタ プロセス開発部
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大田黒 彰
(株)日立製作所 デバイス開発センタ プロセス開発部
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久保 真紀
(株)日立製作所 デバイス開発センタ プロセス開発部
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津金 賢
(株)日立製作所 デバイス開発センタ プロセス開発部
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岩崎 富生
(株)日立製作所
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神保 智子
(株)日立製作所マイクロデバイス事業部
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宇野 正一
(株)日立製作所 デバイス開発センタ プロセス開発部
著作論文
- 低圧W-CVDを用いたCu配線の自己整合メタルキャップ技術(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- 研磨砥粒を含まないスラリを用いたCuCMP技術の開発 : −不均一発泡ポリウレタンパッドを用いたCu残渣の低減−
- 酸化膜CMPにおけるマイクロスクラッチ低減の検討 : CMPプロセスにおけるスクラッチの発生要因調査
- 硬質パッドを用いた高平坦化CMP技術の開発 : CMPプロセスにおけるウエーハ面内研磨均一性の改善
- Cu-CMPプロセスにおける欠陥がTDDB信頼度に与える影響(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- CuCMPプロセスに起因した銅残渣発生の研究 : −配線間の銅残渣の低減−