Cu-CMPプロセスにおける欠陥がTDDB信頼度に与える影響(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
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概要
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SiOC膜を有するCuダマシン配線において、Cu-CMPプロセスで発生する欠陥とTDDB信頼度との関係を評価した。その結果、スクラッチ、腐食及び孔食等の欠陥は、TDDB信頼度を劣化させることが分かった。例えば、スクラッチに対してはスクラッチフリースラリの適用、腐食に対しては後洗浄条件の適正化及び孔食に対してはスラリと後洗浄薬液の適正な組み合わせといったプロセスチューニングにより、TDDB信頼度を確保することができる。又、信頼度試験でのリーク電流特性から、それぞれの欠陥に対するTDDB劣化モデルも提案する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-01-30
著者
-
野口 純司
(株)日立製作所 デバイス開発センタ プロセス開発部
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小西 信博
(株)日立製作所 デバイス開発センタ プロセス開発部
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山田 洋平
(株)日立製作所
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神保 智子
(株)日立製作所マイクロデバイス事業部
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野口 純司
(株)日立製作所マイクロデバイス事業部
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野口 純司
(株)日立製作所デバイス開発センタ
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野口 純司
(株)日立製作所
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山田 洋平
株式会社日立製作所
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小西 信博
(株)日立製作所
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