自己整合メタルキャップによるCu配線完全被覆化技術の検討(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
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概要
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メタルの選択成長技術を用い、Cu配線表面にのみ自己整合的にバリアメタルを形成した。実際に試作したメタルキャップ付きCu配線の隣接配線間容量は従来構造である絶縁膜キャップの場合に比べて2%低い値を示した。更にエレクトロマイグレーション耐性およびストレスマイグレーション耐性試験を実施し、従来構造と比較してメタルキャップ構造に配線信頼性向上効果があることを確認した。配線の断面観察、Cu/異種材料界面の剥離強度測定や拡散係数に関する検討を行い、配線信頼性の向上はCu配線上面のCu/異種材料界面近傍でのCuおよび空孔の拡散の抑制効果によるものと推定した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-09-29
著者
-
岩崎 富生
(株)日立製作所機械研究所
-
石川 憲輔
(株)日立製作所デバイス開発センタプロセス開発部
-
齋藤 達之
(株)日立製作所
-
石川 憲輔
(株)日立製作所マイクロデバイス事業部
-
齋藤 達之
(株)日立製作所マイクロデバイス事業部
-
岩崎 富生
(株)日立製作所 機械研究所
-
芦原 洋司
(株)日立製作所マイクロデバイス事業部
-
宮内 正敬
(株)日立製作所マイクロデバイス事業部
-
岩崎 富生
(株)日立製作所
-
宮内 正敬
(株)日立製作所デバイス開発センタ
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