2.SRAMにおける素子ばらつきの影響と対策(<小特集>CMOSデバイスの微細化に伴う特性ばらつきの増大とその対策)
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概要
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LSIを構成するトランジスタのしきい値電圧(V_<th>)ばらつきの増大,及び,電源電圧の低下に伴い,SRAMの動作が困難となっている.SRAMはLSIの中でも特にばらつきに弱い回路であるといわれている.本稿では,なぜSRAMがトランジスタの特性ばらつきに弱いかを解説し,SRAMの読出し・書込みという2種類の動作に必要な動作マージンとばらつきとの関係を明らかにするための手法を紹介する.更に,最新のSRAMにおけるばらつきの低減手法,及びばらつきに強いSRAM回路技術対策について解説する.
- 2009-06-01
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