高井 幹夫 | 大阪大学極限量子科学研究センター
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概要
関連著者
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高井 幹夫
大阪大学極限量子科学研究センター
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高井 幹夫
大阪大学極限科学研究センター
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村上 勝久
大阪大学極限量子科学研究センター
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村上 勝久
筑波大学数理物質科学研究科:筑波大学学際物質科学研究センター
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若家 富士夫
大阪大学極限量子科学研究センター
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若家 冨士男
大阪大学極限量子科学研究センター
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高井 幹夫
大阪大学 極限科学研究センター
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阿保 智
大阪大学極限科学研究センター
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村上 勝久
大阪大学大学院基礎工学研究科
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山崎 直紀
大阪大学大学院基礎工学研究科
著作論文
- nc-Si MOSカソードの電子放射特性(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 電子ビーム誘起堆積法を用いて作製したPtナノ結晶冷陰極からの縞状電子放出パターンの観測(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- イオンマイクロプローブを用いたDRAMのソフトエラー感応領域および高耐性構造の評価
- 部分空乏化SOI-MOSFETにおける基板浮遊効果抑制シミュレーション
- nc-Si MOSカソードの電子放射特性(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- nc-Si MOSカソードの電子放射特性
- シリコン微結晶面放射型冷陰極の電子放射特性(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 第8回核マイクロプローブ技術と応用に関する国際会議 : 2002年9月8-13日(高崎シティギャラリー, 群馬県高崎市)
- カーボンナノチューブ冷陰極へのレーザー照射効果
- 電子ビーム誘起堆積ナノ電子源のリーク電流の抑制(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)