高井 幹夫 | 大阪大学極限量子科学研究センター
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概要
関連著者
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高井 幹夫
大阪大学極限量子科学研究センター
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高井 幹夫
大阪大学極限科学研究センター
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村上 勝久
大阪大学極限量子科学研究センター
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村上 勝久
筑波大学数理物質科学研究科:筑波大学学際物質科学研究センター
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若家 富士夫
大阪大学極限量子科学研究センター
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若家 冨士男
大阪大学極限量子科学研究センター
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高井 幹夫
大阪大学 極限科学研究センター
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阿保 智
大阪大学極限科学研究センター
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村上 勝久
大阪大学大学院基礎工学研究科
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山崎 直紀
大阪大学大学院基礎工学研究科
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根尾 陽一郎
静岡大学電子工学研究所
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三村 秀典
静岡大学電子工学研究所
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嶋脇 秀隆
八戸工業大学大学院工学研究科
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根尾 陽一郎
静岡大学・電子工学研究所
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三村 秀典
静岡大学・電子工学研究所
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嶋脇 秀隆
八戸工業大学システム情報工学科・助教授
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三村 秀典
The Research Institute Of Electronics Shizuoka University
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根尾 陽一郎
静岡大学 電子工学研究所
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金澤 泰徳
大阪大学極限科学研究センター
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Rochanachirapar W.
大阪大学大学院基礎工学研究科
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木田 庸
八戸工業大学大学院工学研究科
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趙 維江
大阪大学極限科学研究センター
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ROCHANACHIRAPAR Wasu
大阪大学大学院基礎工学研究科
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JARUPOONPHOL Werapong
大阪大学大学院 基礎工学研究科
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若家 冨士夫
大阪大学極限科学研究センター
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尾山 毅
大阪大学極限科学研究センター
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竪 勇也
大阪大学大学院 基礎工学研究科
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金澤 泰徳
大阪大学大学院 基礎工学研究科
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ROCHANACHIRAPAR W.
大阪大学大学院 基礎工学研究科
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澤田 明宏
大阪大学極限科学研究センター
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高井 幹夫
大阪大学基礎工学部
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堀端 慎二
三菱電機先端技術総合研究所
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堀端 慎二
三菱電機材料研究所
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由良 信介
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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山下 雅己
大阪大学基礎工学部電気工学科
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本多 友明
大阪大学大学院基礎工学研究科
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落合 周子
大阪大学極限科学研究センター
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由良 信介
三菱電機材料デバイス研究所
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乙武 正文
三菱電機材料デバイス研究所
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西村 正
三菱電機 (株) Ulsi技術開発センター
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西村 正
三菱電機株式会社ulsi技術開発センター
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神谷 富裕
日本原子力研究開発機構高崎量子応用研究所
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神谷 富裕
日本原子力研究所高崎研究所
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市川 聡
大阪大学ナノサイエンス・ナノテクノロジー研究推進機構
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市川 聡
産業技術総合研究所
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市川 聡
東京大学大学院新領域創成科学研究科
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西村 正
三菱電機(株)
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佐山 弘和
三菱電機(株)ULSI開発研究所
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西村 正
三菱電機ULSI開発研究所
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園田 賢一郎
三菱電機(株)ULSI開発研究所
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岸本 武久
大阪大学
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大野 良和
三菱電機(株)
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佐山 弘和
大阪大学基礎工学部
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大野 吉和
三菱電機 ULSI開発研究所
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園田 賢一郎
三菱電機(株)
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三村 秀典
静岡大学大学院電子科学研究科
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西村 正
三菱電機 Ulsi開セ
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松原 直樹
大阪大学極限量子科学研究センター
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西原 慎二
大阪大学極限量子科学研究センター
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Jarupoonphol Warepong
大阪大学大学院 基礎工学研究科
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村上 勝久
大阪大学 極限科学研究センター
-
Jarupoonphol Werapong
大阪大学 極限科学研究センター
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坂田 一朗
大阪大学 極限科学研究センター
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神谷 富裕
日本原子力研究所
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西村 正
三菱電機株式会社 Lsi 研究所
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山崎 勇人
八戸工業大学工学部
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中浜 弘介
大阪大学極限量子科学研究センター
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加賀 英一
大阪大学極限量子科学研究センター
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木佐 俊哉
大阪大学極限量子科学研究センター
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中谷 卓央
大阪大学極限量子科学研究センター
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真鍋 知弥
大阪大学極限量子科学研究センター
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新田 翔吾
大阪大学極限量子科学研究センター
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沖 宏吏
大阪大学極限量子科学研究センター
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市川 聡
大阪大学ナノサイエンスデザイン教育研究センター
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高井 幹夫
大阪大学・極限科学研究センター
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松尾 智仁
大阪大学極限量子科学研究センター
-
佐山 弘和
三菱電機(株)
著作論文
- nc-Si MOSカソードの電子放射特性(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 電子ビーム誘起堆積法を用いて作製したPtナノ結晶冷陰極からの縞状電子放出パターンの観測(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- イオンマイクロプローブを用いたDRAMのソフトエラー感応領域および高耐性構造の評価
- 部分空乏化SOI-MOSFETにおける基板浮遊効果抑制シミュレーション
- nc-Si MOSカソードの電子放射特性(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- nc-Si MOSカソードの電子放射特性
- シリコン微結晶面放射型冷陰極の電子放射特性(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 第8回核マイクロプローブ技術と応用に関する国際会議 : 2002年9月8-13日(高崎シティギャラリー, 群馬県高崎市)
- カーボンナノチューブ冷陰極へのレーザー照射効果
- 電子ビーム誘起堆積ナノ電子源のリーク電流の抑制(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- カーボンナノチューブ冷陰極へのレーザー照射効果(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- プラズマ雰囲気によるCNT電子源の特性改善
- Optimization of field emitter array fabricated using beam assisted process
- プラズマ雰囲気によるCNT電子源の特性改善(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- Optimization of field emitter array fabricated using beam assisted process(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- プラズマ雰囲気によるCNT電子源の特性改善
- Optimization of field emitter array fabricated using beam assisted process
- マスクレスビームプロセスによるナノ電子源構造の試作
- カーボンナノチューブ冷陰極のレーザ照射効果
- カーボンナノチューブ冷陰極のレーザ照射効果
- カーボンナノチューブ電界放出電子源のエミッションサイトコントロール
- カーボンナノチューブからの電界電子放出
- n型多孔質シリコンFEAの作製とその特性 : 情報ディスプレイ
- n形多孔質シリコンFEAの作製とその特性
- Laser irradiation effect to CNT-cathodes in different atmospheres
- Laser irradiation effect to CNT-cathodes in different atmospheres(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- Laser irradiation effect to CNT-cathodes in different atmospheres
- デュアルビームプロセスによる極微電子源の作製
- 集束イオンビーム誘起堆積Pt冷陰極からの縞状電子放出パターンの観測(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- フィールドエミッションディスプレイ(FED)の開発動向
- nc-Si MOS冷陰極からのレーザ支援による電子放射(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- レーザ誘起焦電結晶からの電子放出とX線源への応用(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- ゲート付CNT電子源を用いたX線源の開発(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- ガラス基板上酸化チタンナノ構造の作製と電界電子放出特性(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- イオンマイクロプローブによる半導体素子構造の多次元マイクロ分析