n形多孔質シリコンFEAの作製とその特性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
n型シリコン電界放出アレイ(FEA)の電子放出特性の改良のために、放出電極の陽極化成による多孔質化を行った。陽極化成処理により、電子放出のためのゲート電圧が低減し、最大10倍の放出電流増加が得られた。また、ファウラーノルドハイムプロットより、放出電極の仕事関数の低下と、アレイの電子放出特性の一様化が達成できた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-10-27
著者
-
高井 幹夫
大阪大学極限量子科学研究センター
-
高井 幹夫
大阪大学基礎工学部
-
堀端 慎二
三菱電機先端技術総合研究所
-
堀端 慎二
三菱電機材料研究所
-
由良 信介
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
山下 雅己
大阪大学基礎工学部電気工学科
-
由良 信介
三菱電機材料デバイス研究所
-
乙武 正文
三菱電機材料デバイス研究所
関連論文
- nc-Si MOSカソードの電子放射特性(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 電子ビーム誘起堆積法を用いて作製したPtナノ結晶冷陰極からの縞状電子放出パターンの観測(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- イオンマイクロプローブを用いたDRAMのソフトエラー感応領域および高耐性構造の評価
- マイクロプローブによるDRAMソフトエラーの評価
- 化成処理したシリコンにタングステンをコートしたフィールドエミッタアレイのエミッション電流とその安定性
- 磁気ヘッドのオフトラック特性と先端形状,渦電流の関係
- 2)複合形薄膜磁気ヘッドの特性(録画研究会(第43回))
- 部分空乏化SOI-MOSFETにおける基板浮遊効果抑制シミュレーション
- nc-Si MOSカソードの電子放射特性(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- nc-Si MOSカソードの電子放射特性
- シリコン微結晶面放射型冷陰極の電子放射特性(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 液晶および有機EL向け低温ポリシリコンプロセス用高出力グリーンレーザーおよびアニール光学系
- グリｰンレｰザｰによる低温ポリシリコン化アニｰル
- 新デルタ配列ACプラズマディスプレイ"DIA-PDP"による高発光効率化及び高解像度化(電子ディスプレイ)
- 第8回核マイクロプローブ技術と応用に関する国際会議 : 2002年9月8-13日(高崎シティギャラリー, 群馬県高崎市)
- カーボンナノチューブ冷陰極へのレーザー照射効果
- 電子ビーム誘起堆積ナノ電子源のリーク電流の抑制(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- カーボンナノチューブ冷陰極へのレーザー照射効果(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- プラズマ雰囲気によるCNT電子源の特性改善
- Optimization of field emitter array fabricated using beam assisted process
- プラズマ雰囲気によるCNT電子源の特性改善(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- Optimization of field emitter array fabricated using beam assisted process(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- プラズマ雰囲気によるCNT電子源の特性改善
- Optimization of field emitter array fabricated using beam assisted process
- マスクレスビームプロセスによるナノ電子源構造の試作
- カーボンナノチューブ冷陰極のレーザ照射効果
- カーボンナノチューブ冷陰極のレーザ照射効果
- カーボンナノチューブ電界放出電子源のエミッションサイトコントロール
- カーボンナノチューブからの電界電子放出
- n型多孔質シリコンFEAの作製とその特性 : 情報ディスプレイ
- n形多孔質シリコンFEAの作製とその特性
- Laser irradiation effect to CNT-cathodes in different atmospheres
- Laser irradiation effect to CNT-cathodes in different atmospheres(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- Laser irradiation effect to CNT-cathodes in different atmospheres
- デュアルビームプロセスによる極微電子源の作製
- 気体導入によるSi冷陰極アレイの特性改善
- PDPにおける裏ギャップ放電防止用孤立隔壁による高精細化の検討(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- PDPにおける裏ギャップ放電防止用孤立隔壁による高精細化の検討
- PDPにおける裏ギャップ放電防止用孤立隔壁による高精細化の検討
- 集束イオンビーム誘起堆積Pt冷陰極からの縞状電子放出パターンの観測(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 中高エネルギー集束イオンビームの現状とその応用
- フィールドエミッションディスプレイ(FED)の開発動向
- nc-Si MOS冷陰極からのレーザ支援による電子放射(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- レーザ誘起焦電結晶からの電子放出とX線源への応用(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- ゲート付CNT電子源を用いたX線源の開発(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- ガラス基板上酸化チタンナノ構造の作製と電界電子放出特性(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 磁気ディスク装置用薄膜ヘッド
- イオンマイクロプローブによる半導体素子構造の多次元マイクロ分析