電子ビーム誘起堆積ナノ電子源のリーク電流の抑制(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
ビーム支援プロセスによって作製したナノ電子源のリーク電流に対するアニール処理効果について調べた。リーク電流の原因はゲートカソード間の絶縁層表面に吸着したプリカーサーガスであり、絶縁層表面に吸着したプリカーサーガスは200℃以上でアニール処理をすることによって説離し、リーク電流が減少することがわかった。リーク電流が減少することによって電子放出効率も向上し、750℃でアニール処理をすることによって電子放出効率がほぼ100%に到達した。ビーム支援プロセスによって作製したナノ電子源の歩留まりは500℃以上のア二ール処理で向上し、750℃のアニール処理によって最大75%に達した。以上のことからアニール処理のプロセスを加えることがビーム支援プロセスには有効であることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-12-09
著者
-
村上 勝久
大阪大学極限量子科学研究センター
-
高井 幹夫
大阪大学極限量子科学研究センター
-
村上 勝久
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
山崎 直紀
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
阿保 智
大阪大学極限科学研究センター
-
若家 冨士夫
大阪大学極限科学研究センター
-
高井 幹夫
大阪大学極限科学研究センター
-
村上 勝久
筑波大学数理物質科学研究科:筑波大学学際物質科学研究センター
関連論文
- nc-Si MOSカソードの電子放射特性(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 電子ビーム誘起堆積法を用いて作製したPtナノ結晶冷陰極からの縞状電子放出パターンの観測(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- イオンマイクロプローブを用いたDRAMのソフトエラー感応領域および高耐性構造の評価
- 部分空乏化SOI-MOSFETにおける基板浮遊効果抑制シミュレーション
- nc-Si MOSカソードの電子放射特性(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- nc-Si MOSカソードの電子放射特性
- シリコン微結晶面放射型冷陰極の電子放射特性(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 第8回核マイクロプローブ技術と応用に関する国際会議 : 2002年9月8-13日(高崎シティギャラリー, 群馬県高崎市)
- カーボンナノチューブ冷陰極へのレーザー照射効果
- 電子ビーム誘起堆積ナノ電子源のリーク電流の抑制(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- カーボンナノチューブ冷陰極へのレーザー照射効果(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- プラズマ雰囲気によるCNT電子源の特性改善
- Optimization of field emitter array fabricated using beam assisted process
- プラズマ雰囲気によるCNT電子源の特性改善(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- Optimization of field emitter array fabricated using beam assisted process(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- プラズマ雰囲気によるCNT電子源の特性改善
- Optimization of field emitter array fabricated using beam assisted process
- マスクレスビームプロセスによるナノ電子源構造の試作
- マスクレスビームプロセスによるナノ電子源構造の試作
- カーボンナノチューブ冷陰極のレーザ照射効果
- カーボンナノチューブ冷陰極のレーザ照射効果
- カーボンナノチューブ電界放出電子源のエミッションサイトコントロール
- カーボンナノチューブからの電界電子放出
- n型多孔質シリコンFEAの作製とその特性 : 情報ディスプレイ
- n形多孔質シリコンFEAの作製とその特性
- Laser irradiation effect to CNT-cathodes in different atmospheres
- Laser irradiation effect to CNT-cathodes in different atmospheres(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- Laser irradiation effect to CNT-cathodes in different atmospheres
- デュアルビームプロセスによる極微電子源の作製
- 集束イオンビーム誘起堆積Pt冷陰極からの縞状電子放出パターンの観測(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- フィールドエミッションディスプレイ(FED)の開発動向
- nc-Si MOS冷陰極からのレーザ支援による電子放射(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- レーザ誘起焦電結晶からの電子放出とX線源への応用(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- ゲート付CNT電子源を用いたX線源の開発(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- ガラス基板上酸化チタンナノ構造の作製と電界電子放出特性(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- イオンマイクロプローブによる半導体素子構造の多次元マイクロ分析
- グラフェンエッジ冷陰極の作製と電子放出特性の評価(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- nc-Si MOS冷陰極からの電子放射における光照射効果(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 電子ビーム誘起堆積三極構造Pt冷陰極からの縞状電子放出パターンの観測(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- シリコン冷陰極からの光支援による電子放射(電子管と真空ナノエレクトロニクス)
- 赤外レーザ励起による焦電結晶からの電子放出とX線源への応用(電子管と真空ナノエレクトロニクス)