Optimization of field emitter array fabricated using beam assisted process(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
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概要
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電子および集束イオンビームによる局所的物理・化学反応を用いてAuゲートPt FEAの設計製作を行った。このプロセスでは、ゲート径やエミッタの高さが作製プロセスに制限されることがなく、短時間で電子源を作製することが可能である。このプロセスを用いてゲート径とエミッタの高さが異なるFEAを作製し、電界放出特性の比較を行った。その結果、エミッタの高さはゲート電極の表面付近が最適であることが分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-12-05
著者
-
村上 勝久
大阪大学極限量子科学研究センター
-
高井 幹夫
大阪大学極限量子科学研究センター
-
高井 幹夫
大阪大学 極限科学研究センター
-
村上 勝久
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
山崎 直紀
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
JARUPOONPHOL Werapong
大阪大学大学院 基礎工学研究科
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竪 勇也
大阪大学大学院 基礎工学研究科
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Jarupoonphol Warepong
大阪大学大学院 基礎工学研究科
-
村上 勝久
筑波大学数理物質科学研究科:筑波大学学際物質科学研究センター
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