化成処理したシリコンにタングステンをコートしたフィールドエミッタアレイのエミッション電流とその安定性
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概要
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シリコン(Si)フィールド,エミッタのエミッション電流向上と安定化・長寿命化を図るために,化成処理したSiエミッタにタングステン(W)コートを施したエミッタ( W/anodized Siエミッタ)を作成した.このエミッタは,100tipアレイでゲート電圧120V において9μA/tip以上と極めて高いエミッション電流を示した.この値は,bare Siエミッタアレイの10倍の大きさである.また, W/anodized Siエミッタづの電流変動はbare Siと比べ安定である.これは,WによりSi表面が保護されており,ガスやイオンの吸着離脱の影響を受けにくいためと考えられる.また,10^<-10>Torr台でエミッションの経時変化を測定した結果, W/anodized Siエミッタでは,1.5μA/tip以上の高い電流値を1000時間以上維持することを確認できた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-12-13
著者
-
奥村 貴典
三菱電機株式会社 先端技術総合研究所
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奥村 貴典
三菱電機先端技術総合研究所
-
細野 彰彦
三菱電機株式会社 先端技術総合研究所
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細野 彰彦
三菱電機先端技術総合研究所
-
由良 信介
三菱電機先端技術総合研究所
-
森川 和敏
三菱電機先端技術総合研究所
-
川淵 真嗣
三菱電機先端技術総合研究所
-
堀端 慎二
三菱電機先端技術総合研究所
-
奥田 荘一郎
三菱電機先端技術総合研究所
-
原田 昿嗣
三菱電機 CRT統括事業部
-
高井 幹夫
大阪大学 極限科学研究センター
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由良 信介
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
奥田 荘一郎
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
-
森川 和敏
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
-
奥田 荘一郎
三菱電機株式会社先端技術総合研究所fedプロジェクトグループ
-
奥田 荘一郎
三菱電機株式会社 先端技術総合研究所 表示デバイス技術部
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