半導体ティップ微小電子源からのレーザー支援電界放出
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概要
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出力100mWのcwYAG2倍波レーザー(波長532nm)を用いてn型シリコン微小電子源を照射し、電界放出への効果を調べた。使用した微小電子源は直系0.2mmの円内に640ティップを配した2段ゲート型と、1及び3ティップの1段ゲート型の2種である。微小電子源上で最大強度約10^7W/m^2のレーザー光は、機械的チョッパーによって4μsの立ち上がりでオンオフされた。電界放出電流はレーザー照射に伴って増加したが、照射すべき位置、増加量のゲート電圧依存性、照射への時間的応答において上記の両種電子源は異る様相を示した。電流増加量の光強度依存性を含む測定データを報告し、それらの定性的な解釈を述べる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-12-06
著者
-
嶋脇 秀隆
八戸工業大学大学院工学研究科
-
横尾 邦義
東北大学電気通信研究所
-
細野 彰彦
三菱電機株式会社 先端技術総合研究所
-
河村 良行
福岡工業大学工学部知能機械工学科
-
石塚 浩
福岡工業大学工学部
-
三村 秀典
東北大学電気通信研究所
-
嶋脇 秀隆
八戸工業大学システム情報工学科・助教授
-
横尾 邦義
株式会社イデアルスター
-
河村 良行
福工大
-
細野 彰彦
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
-
嶋脇 秀隆
八戸工業大学電気電子工学科
-
河村 良行
福岡工業大学工学部
-
河村 良行
福岡工業大学
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