Si電界放射陰極の電子放出特性

スポンサーリンク

概要

論文の詳細を見る
最近、電界放射陰極(FEA)を用いた平面画像素子、フィルドエミションディスプレイ(FED)の開発研究が注目を集めている。しかし、FEAのFEDの応用のためには、放出電流の安定化と、電子の放射角を制御することが必要不可欠である。我々はこれまでにFETによる放射電流の制御、平面型収束電極による電子の放射角の制御を提案してきた(1)。ここではFETによる制御が電流の安定化に有効なこと、放射角の制御では基板の上の電極の対称性が重要であることを述べる。次に、この電流安定化の方法を利用してゲート、エミッタ間の電位の変化を測定し、これを用いて電流変動の要因について検討を行った。また、P型Siを用いた電界放射陰極の電子放射特性の測定を行ったので、これらの検討結果について述べる。
社団法人電子情報通信学会の論文
1995-12-15

著者

関連論文

もっと見る

スポンサーリンク