半導体電界電子放射陰極のエネルギー計測
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概要
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The energy distributions of field-emitted electrons from single-tip n-type and p-type Si field emitters have been analyzed by using an electrostatic cylindrical sector analyzer. The energy distribution of an n-type Si field emitter suggests that electrons are emitted from near the Si conduction band under the influence of band bending, radial momentum due to the geometrical structure of a sharp needle and some of electron emission from the interface states. On the other hand, for a p-type Si field emitter, the energy distribution shows that electrons are mainly emitted through surface states, in which electron are supplied from the valence band of Si.
- 八戸工業大学の論文
- 2006-02-28
著者
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