ダイヤモンドの選択成長法
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概要
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筆者らは気相合成ダイヤモンドを用いた微小電子源の開発を行っている。今回、ダイヤモンドの選択成長を行うために、酸化膜によるマスクパターンをシリコン基板上に作製した。成長前に基板にバイアス処理を行うことで、ダイヤモンドが酸化膜のマスクパターンを反映してシリコン基板上に選択成長することを確認した。この成長法により作製したダイヤモンドは約2×2mm^2の範囲に均一な密度で成長した。また、作製したダイヤモンドからの電子放出を確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-12-13
著者
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