バナジウムイオン注入ガードリングを用いた4H-SiC PiNダイオードの逆方向特性(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
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概要
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4H-SiC PiNダイオードのターミネーションとして、メサ構造とガードリング構造の2種類を形成して、逆方向特性を比較した。ブレイクダウン電圧の温度依存性から、アバランシェブレイクダウンであることを確認し、更に、アバランシェブレイクダウン時の発光評価より、ガードリング構造を用いたPINダイオードの方が、メサ構造を用いた場合より、ターミネーション部分への電界集中が緩和されることがわかった。さらに、ガードリング構造を用いたPINダイオードは、インパットダイオードとして良好なRF特性を示した。
- 2007-06-08
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