小野 修一 | 新日本無線(株)マイクロ波事業部

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概要

• 同名の論文著者
• 新日本無線(株)マイクロ波事業部の論文著者

関連著者

• 新井 学

  新日本無線株式会社

• 新井 学

  新日本無線(株)マイクロ波事業部

• 小野 修一

  新日本無線株式会社

• 新井 学

  新日本無線(株)

• 小野 修一

  新日本無線(株)マイクロ波事業部

• 尾形 誠

  新日本無線株式会社

• 本田 弘毅

  新日本無線株式会社マイクロ波事業部

• 沢崎 浩史

  新日本無線株式会社マイクロ波事業部

• 片上 崇冶

  新日本無線株式会社

• 片上 崇治

  新日本無線株式会社

• 横尾 邦義

  東北大学 電気通信研究所

• 寒河江 克巳

  東北大学 電気通信研究所

• 三村 秀典

  東北大学 電気通信研究所

• 元 光

  東北大学 電気通信研究所

• 池田 優

  東北大学 電気通信研究所

• 横尾 邦義

  株式会社イデアルスター

• 秋田 一路

  新日本無線株式会社マイクロ波事業部

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著作論文

• 結晶性ダイヤモンドからの電界電子放射
• バナジウムイオン注入ガードリングを用いた4H-SiC PiNダイオードの逆方向特性(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
• SiC半絶縁性基板上へのイオン注入を用いたMESFET作製
• イオン注入を用いた半絶縁性SiC基板上へのMESFETの作製(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• イオン注入を用いた半絶縁性SiC基板上へのMESFETの作製
• SiC高周波MESFETの開発
• SC-6-4 SiC 高周波デバイスの開発状況
• SiC高周波MESFETの開発(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
• SiC-MESFET高周波特性のゲート長依存性 : ショートチャネルSiC-MESFETの高周波特性
• SiC-MESFET高周波特性のゲート長依存性 : ショートチャネルSiC-MESFETの高周波特性
• ダイヤモンドの選択成長法

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