イオン注入を用いた半絶縁性SiC基板上へのMESFETの作製(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
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概要
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- 2006-06-02
著者
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尾形 誠
新日本無線株式会社
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新井 学
新日本無線株式会社
-
新井 学
新日本無線(株)マイクロ波事業部
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小野 修一
新日本無線株式会社
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片上 崇冶
新日本無線株式会社
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新井 学
新日本無線(株)
-
小野 修一
新日本無線(株)マイクロ波事業部
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